英飞凌IRF5803 P-Channel MOSFET高性能中文规格手册

IRF5803是一款由INFINEON(英飞凌)生产的P-Channel高压增强型场效应晶体管(MOSFET)，它专为在高电压和大电流应用中提供高效能而设计。这款器件以其超低的栅极电阻(RDS(on))著称，这对于减少开关损耗、提高能源效率至关重要。 该器件的主要特性包括： 1. **最大集电极-源极电压(VDS)**: IRF5803的集电极-源极电压额定为-40V，这意味着它可以承受高达40伏的电压差，适用于各种高电压控制电路。 2. **最大连续导通电流(ID)**: 在标准工作温度下（TA=25°C），IRF5803的最大连续导通电流为-3.4A，而在70°C时降为-2.7A。这些电流能力确保了器件在高温环境下仍能稳定运行。 3. **脉冲电流限制(IDM)**: 虽然没有明确给出脉冲电流值，但通常脉冲电流会低于连续电流，以防止器件过热。脉冲电流限制用于保护器件免受瞬态负载的影响。 4. **最大功率耗散(PD)**: 在25°C时，允许的最大功率耗散为2.0W，而在70°C条件下则降至1.3W。这体现了器件的散热性能，确保在不同环境温度下的安全操作。 5. **线性降级因子**: 为了补偿温度对功率消耗的影响，IRF5803具有16mW/°C的线性降级因子，意味着每升高1℃，功率极限会相应下降16mW。 6. **栅极-源极电压范围(VGS)**: 设备支持宽广的栅极电压，从-20V到+20V，这使得IRF5803能够适应各种控制信号的幅度。 7. **封装形式**: IRF5803采用TSOP-6封装，这是一种小型表面贴装封装，适合于高密度电路板设计，并且提供了良好的散热性能。 8. **产品特点**: 该器件具备低栅极充电、无铅和无卤素等特点，符合环保要求。此外，国际整流器公司(INFINEON)通过先进的工艺技术实现了低栅电阻，提高了开关速度和效率。 9. **订购选项**: IRF5803PbF提供标准包装和3000个单位的卷带/卷盘形式，方便大规模生产应用。 IRF5803是一款高性能的P-Channel MOSFET，特别适合于对低导通电阻、高耐压和散热管理有较高要求的应用，如电源管理、电机驱动和功率转换等场景。