FDT3612-VB: 高性能N沟道SOT223封装MOS管，175°C耐温

FDT3612-VB是一种高性能的N沟道SOT223封装MOS场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），由Trench FET®技术制成。这款MOSFET的特点包括： 1. **环保特性**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，体现了对环保法规的考量，符合RoHS指令2002/95/EC的要求。 2. **高温耐受**：该器件的最大结温可达175°C，确保在极端条件下也能稳定工作。 3. **电流规格**： - 在VGS = 10V时，持续状态下的 Drain-Source电压（VDS）为100V，RDS(on)为0.100Ω。 - 当VGS = 4.5V时，ID（连续源极电流）为5.0A，下降到4.5A（TA = 70°C）。 - 高脉冲电流限制（IDM）为25A，而单次脉冲雪崩电流（IAS）为15A，对应的单脉冲雪崩能量（EAS）为11mJ。 4. **功率处理能力**： - 在TA = 25°C下，最大功率损耗（PD）为3.3W（或1.7W在TA = 70°C）。 5. **温度范围**：工作结温（TJ）和储存温度范围为-55°C至175°C，表明其适应广泛的环境条件。 6. **热阻**：提供了热阻值，如Junction-to-Ambient（热结与环境）典型值为36°C/W，最大值为45°C/W，以及Junction-to-Foot（热结与脚）的热阻值。 7. **封装形式**：采用紧凑的SOT-223封装，具有良好的散热性能和小型化设计。 8. **应用支持**：FDT3612-VB适用于100V的N沟道MOSFET，并提供客户服务热线400-655-8788，以解答任何产品相关问题。 FDT3612-VB是一款高效率、耐高温、环保的N沟道MOSFET，适用于需要高可靠性和紧凑设计的电路，特别适合于对散热和功率管理有严格要求的应用场合。