华成英模拟电路自测题详解与解答

本资源是一份关于模拟电路的复习资料，主要针对华成英编写的教材中的第一章节内容进行整理和解答。章节内容涉及半导体器件的基础知识和电路分析，包括N型和P型半导体的区别、PN结的工作原理、晶体管的放大状态与结型场效应管的工作条件、MOS管的不同类型及其特性等。 1. 半导体基础知识： - 在N型半导体中，掺入适量的三价元素确实可以将其转变为P型半导体，这表明了半导体掺杂的重要性，通过改变元素类型来调整载流子类型（判断题正确）。 - N型半导体的多子是自由电子，但整体并不带电，电子带负电，而空穴带正电（判断题错误）。 - PN结在无光照和外加电压时，由于扩散电流和漂移电流相等且方向相反，所以结电流为零（判断题正确）。 2. 模拟电路分析： - PN结加正向电压时，空间电荷区因扩散作用而变窄，这会影响其电场分布（选择题A）。 - 二极管的电流方程与电压的关系遵循 Shockley 方程，其中电流与电压非线性关系（选择题C）。 - 稳压管工作在反向击穿区，可以提供稳定的电压输出（选择题C）。 - 晶体管放大区的特征是发射结正偏，集电结反偏，以便形成合适的电流放大（选择题B）。 - 结型管和增强型MOS管可以在UGS=0V时工作在恒流区，耗尽型MOS管则不然（选择题A和C）。 3. 电路实例计算： - 提供了一些实际电路的计算示例，如图T1.3所示各电路的输出电压计算，以及稳压管电路中UO1和UO2的电压值。 - 对于晶体管的输出特性曲线，通过最大耗散功率PCM，可以确定不同电压下的集电极电流，进而画出过损耗区。 这份资料对于学习模拟电路的学生来说，提供了理论知识的巩固和实践应用的练习，对理解半导体器件的特性、电路分析技巧以及解决实际问题非常有帮助。