800V平台推动碳化硅应用，SiC器件市场迎来新机遇

"该报告聚焦于电力电子领域中的碳化硅（SiC）技术，特别是在800V高压平台的应用趋势。报告指出，随着800V电动汽车平台的快速发展，SiC材料因其卓越的电气特性，如耐高压、低电阻和无拖尾电流等优势，正逐渐成为该领域的重要选择。" 报告详细分析了2022年至2023年SiC市场的增长潜力，强调了800V高压充电平台对缓解电动车里程焦虑的关键作用。自2021年以来，各大国内外汽车制造商纷纷推出支持800V平台的车型，以实现更快的充电速度和更高效的能源利用。随着这些平台的逐步落地，SiC的需求预计将显著增加。 报告还讨论了SiC成本下降的趋势，预测SiC MOSFET将在2023年下半年达到一个价格甜蜜点，使得其在车用逆变器中的应用更加经济可行。根据报告中的计算，采用SiC驱动系统的电动汽车在城市工况下可以节省4.43%的电耗，而相比传统的Si方案，无需大幅增加电池容量即可实现相同的续航里程，从而节约了电池成本。如果SiC晶圆价格每年下降约10%，预计到2023年下半年，SiC解决方案将实现成本上的正回报。 此外，报告还强调了功率碳化硅器件在新能源汽车市场的广阔前景。随着800V平台和SiC技术的双重推动，中国SiC功率器件市场规模有望快速增长。报告预计，随着技术进步和市场渗透率的提高，SiC将在未来的电力电子行业中扮演更重要的角色，为整个行业带来革新性的变化。 总结来说，这份由信达证券电子行业首席分析师莫文宇撰写的报告，深入探讨了800V平台与SiC技术的结合，以及这对半导体和电子行业的影响，特别是对于降低电动车成本和提升能效的潜力。报告为投资者提供了有关SiC市场发展的关键见解，并对行业发展趋势进行了乐观的预测。