SOT23 P-Channel 60V MOSFET J204-T1B-A-VB:低阻值、快速开关
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更新于2024-08-03
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J204-T1B-A-VB是一款由VBsemi公司生产的SOT23封装的P-Channel(P沟道)场效应MOS管。这款器件具有低功耗、高速度和高效能的特点,适用于需要高侧开关应用的电子系统中。
1. 封装形式:SOT23封装,这是一种紧凑型封装,适合于表面安装技术(SMT),在FR4板上易于集成。SOT23封装尺寸小,节省空间,对电路板布局非常有利。
2. 技术特性:
- **环保特性**:符合IEC 61249-2-21标准,无卤素,满足RoHS指令2002/95/EC,对环境友好。
- **沟道结构**:采用Trench FET®技术,提供了更优秀的性能和散热效率。
- **低阻抗**:具有低导通电阻(RDS(ON)),在VGS = 10V时,典型值为3000mΩ,在VGS = 20V下,该参数未给出具体数值。
- **阈值电压**:Vth为-1.87V,这是MOSFET开启所需的最小栅极电压。
- **开关速度**:具有快速开关特性,典型值为20ns,对于高频应用有优势。
- **输入电容**:低输入电容,典型值为20pF,有利于减少信号传输延迟。
3. 电流规格:
- **连续电流**:在室温下,ID的最大连续电流为-500mA,随着温度升高,电流会相应降低。
- **脉冲电流**:短时间峰值电流(脉宽受限于最大结温),IDM典型值为-1500mA,需要注意脉冲宽度和占空比限制。
- **热管理**:允许的最大功率损耗为460mW(TA=100°C)和240mW(TA=25°C),并提供热阻抗RthJA,表明器件在高工作温度下的散热能力。
4. 温度范围:
- **操作温度**:工作温度范围为-55°C至150°C,包括操作和存储温度。
- **热阻分析**:最大结温与环境温度之差,RthJA=350°C/W,确保了良好的散热性能。
5. 安全信息:
- **脉宽限制**:脉冲测试条件下,脉宽(PW)不超过300μs,占空比不超过2%。
- **开关条件**:在开关操作中,需遵循制造商提供的脉宽和频率限制,以防止过热或损坏。
J204-T1B-A-VB是一款高性能、低功耗的P-Channel MOSFET,适合在需要快速响应和小型化的电子设计中使用。在实际应用时,务必参考产品数据手册中的详细参数和注意事项,以确保安全和最优性能。如果有任何疑问,可拨打400-655-8788服务热线寻求技术支持。
2024-04-24 上传
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