英飞凌IPG20N04S4L-07A OptiMOS-T2功率晶体管特性与规格

IPG20N04S4L-07A是英飞凌(INFINEON)推出的一款OptiMOS™-T2Power-Transistor，它是一款双N沟道逻辑电平增强型功率晶体管，适用于高性能和高效率的电子应用。该器件具有以下主要特点： 1. **逻辑级双N沟道增强模式**：设计用于在低电压逻辑信号下提供高效开关性能，确保与逻辑电路的兼容性。 2. **AECQ101认证**：符合汽车电子协会的严苛质量标准，保证在恶劣环境下也能稳定运行。 3. **高温耐受性**：最高峰值再流温度高达260°C，工作温度可达175°C，适应高温工业环境。 4. **绿色产品**：RoHS合规，符合环保要求，减少对环境的潜在影响。 5. **安全特性**：经过100%雪崩测试，适合自动光学检查（AOI）自动化生产线，保证元件质量。 6. **电流能力**：连续 Drain电流在25°C时为单通道20A，而在100°C时降为20A；脉冲 Drain电流最大可达到80A，单次脉冲雪崩能量为230mJ。 7. **耐压和导通电阻**：最大栅极源电压为±16V，最大反向漏电流（RDS(on)）为7.2mΩ，保证了在正常工作条件下的低阻抗。 8. **功率处理能力**：在25°C下，单通道最大功率耗散为65W，确保了在负载下的高效能。 9. **温度范围**：操作和存储温度范围宽广，从-55°C到+175°C，适应各种环境条件。 这款IPG20N04S4L-07A封装在PG-TDSON-8-10封装中，带有4N04L07标记，适用于紧凑的应用空间，并且已更新至Rev.1.0版本，发布日期为2013年2月28日。在选择和使用此器件时，应考虑其热特性，包括junction-case热阻值，尽管具体数值未在给出的部分列出，但用户应参考完整数据手册获取这些详细信息。这款元器件适合对效率、可靠性和环保有高要求的工业应用，如电机驱动、电源管理等。