英飞凌IPB200N25N3G芯片中文规格书：高性能低阻 MOSFET

"IPB200N25N3 G是英飞凌公司生产的OptiMOSTM3系列的一款N沟道功率晶体管，主要用于高频率开关和同步整流。这款芯片提供了中文规格书手册，详细列出了其主要特性、最大额定值和参数。" 本文将详细解析IPB200N25N3 G的主要特性和技术规格，帮助读者了解这款功率晶体管的性能和应用范围。 首先，IPB200N25N3 G是一款正常栅极电平的N沟道功率晶体管，这意味着它在栅极电压达到一定阈值时可以导通。其主要特点是拥有优秀的栅极电荷与漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM），这表明在开关操作时，它可以提供非常低的导通电阻，从而降低功耗和热损耗。此外，该器件的最大连续漏源电流ID在25°C时为64A，100°C时为46A，适合处理较大的电流负载。 在耐压方面，IPB200N25N3 G的漏源电压VDS最大为250V，可承受较高的电压冲击。而其最大门源电压VGS为±20V，确保了良好的控制能力。值得一提的是，这款晶体管在25°C时的最大功率耗散Ptot为300W，可在高温环境下稳定工作，最高工作温度可达175°C。 在瞬态性能上，IPB200N25N3 G可承受脉冲漏源电流ID,pulse高达256A（在25°C下），并且能经受单脉冲雪崩能量EAS为320mJ，这表明它具有良好的过载保护能力。反向二极管的反向电压变化率dv/dt限制在10kV/μs，防止快速电压变化导致的损坏。 在环保方面，IPB200N25N3 G采用无铅镀层，符合RoHS标准，并且不含卤素，满足IEC61249-2-21的无卤素要求。此外，它已根据JEDEC1标准进行合格认证，适用于目标应用。 封装方面，IPB200N25N3 G提供PG-TO263-3、PG-TO220-3和PG-TO262-3三种封装形式，分别标记为200N25N。这些封装设计考虑了散热和安装的便利性。 IPB200N25N3 G是英飞凌推出的一款高性能N沟道功率晶体管，适用于需要高效能、低损耗的电力转换系统，如开关电源、电机驱动和直流-直流转换器等应用。其出色的电气性能和环境友好特性使其成为高频率应用的理想选择。