单结晶体管振荡电路特性和电力电子器件分类

在"特性与单结晶体管振荡电路"一节中，主要讨论的是单结晶体管的基本工作原理和振荡电路的应用。单结晶体管，因其内部特殊的分压结构，其基极电压（Ｕbb）由电阻Rb1和Rb2分压，其中分压比ŋ通常在0.3至0.9范围内。这个电路的设计依赖于管子的内部结构，用于实现特定的电压控制。 章节中提到的功率二极管是电力电子器件的一种，它基于半导体PN结，具有单向导电性，允许电流在正向偏置时自由流动，而在反向偏置时截止。它们的主要特点是有一个较大的PN结、引线和封装，常见封装形式有螺栓型和平板型。功率二极管的伏安特性显示，当正向电压超过阈值（UTO，门槛电压）时，二极管开始导通，正向导通时的压降相对稳定，不受电流影响。反向时，由于其单向导电性，二极管会阻断电流。 此外，章节还提到了电力电子器件的分类，根据可控程度，可分为半控型、全控型和不可控器件。半控型如IGBT、电力MOSFET和GTO，虽然可以通过控制信号影响其导通，但不能控制其关断，其开关状态由主电路参数决定。全控型如电力MOSFET，通过控制信号完全控制其导通，但不控制关断，无需独立驱动电路。不可控器件如电力二极管和晶闸管，其通断由外部电压和电流决定。 在章节的第二节，详细介绍了晶闸管，它是另一种半控型器件，具有单向导通和双向阻断的能力，其工作原理涉及到电子和空穴的控制。晶闸管及其衍生器件如GTR、SIT等，由于其特殊结构和特性，广泛应用于电力电子系统中，如相控整流电路。 最后，章节还涵盖了不同类型的电力电子器件，如电压驱动型和电流驱动型，以及单极型、双极型和复合型的区别，这些分类对于理解不同器件的工作方式和应用至关重要。例如，MOSFET和IGBT属于电压驱动型的全控器件，而晶体管GTR则属于单极型的全控器件，它们在电路设计中各有优缺点，需要根据具体应用选择合适的器件。 这部分内容深入剖析了功率二极管和晶闸管的基本原理、分类及其在电力电子电路中的应用，为理解和设计此类电路提供了基础理论支持。