IRF520S-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"IRF520S-VB是一种N沟道的MOSFET，采用TO263封装，适用于隔离式DC/DC转换器等应用。该器件具有TrenchFET功率MOSFET技术，能承受175°C的结温，并拥有低热阻封装，确保了高效的散热性能。它在VGS=10V时的RDS(on)为0.100欧姆，连续漏极电流ID在25°C时可达20A，125°C时为16A。此外，该MOSFET还通过了100%的Rg测试，确保了良好的栅极电阻一致性。绝对最大额定值包括100V的VDS、±20V的VGS，以及脉冲漏极电流IDM为70A。单脉冲雪崩能量EAS为200毫焦，最大功率耗散在25°C时为3.75W。其热特性方面，结到壳的热阻RthJC为0.4°C/W，而结到环境的热阻RthJA（在TO-263封装的PCB上）为40°C/W。IRF520S-VB符合RoHS标准，由VBsemi公司生产。" IRF520S-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其核心特性是采用了TrenchFET技术。TrenchFET是一种创新的MOSFET结构，通过在硅片上蚀刻出深沟槽来减小沟道电阻，从而提高开关速度并降低导通电阻，使得IRF520S-VB在低电压操作下也能提供较低的RDS(on)，这在电源管理和其他高效率应用中至关重要。 该MOSFET的额定工作结温范围宽泛，从-55°C到175°C，这表明它能在高温环境下稳定工作。其低热阻封装设计有助于在大电流运行时快速散发热量，RthJC仅为0.4°C/W，意味着当温度从芯片传递到封装外壳时，每瓦功率仅引起0.4°C的温升，这对高功率应用来说非常重要。 IRF520S-VB适用于隔离型DC/DC转换器，这类转换器通常用于电力供应、通信设备和工业自动化系统中，要求元件能够承受高电压瞬变并保持高效能。此外，由于其100V的耐压能力和20A的连续电流能力，该MOSFET也适用于其他需要大电流控制的应用，如电机驱动、负载开关和功率调节电路。 MOSFET的RDS(on)是衡量其导通状态下的内阻的指标，IRF520S-VB在10V栅极电压下的RDS(on)为0.100欧姆，这意味着在导通状态下，流过器件的电流与两端电压之间的关系接近于理想开关。100%的Rg测试则保证了每个器件的栅极电阻一致性，这对于需要精确控制开关特性的电路尤其重要。 在安全操作区(SOA)曲线中，器件的脉冲电流和雪崩能量都有明确限制，以防止因过载导致的损坏。例如，脉冲漏极电流IDM为70A，而单脉冲雪崩能量EAS为200毫焦，这些参数确保了在短时间大电流冲击下，器件仍能保持稳定。 IRF520S-VB是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET，适合对效率和散热有严格要求的电源转换和控制系统。其设计特点和参数确保了在各种工业和电子应用中的优秀表现。