HYNIX HYSXS02647 SDRAM芯片详细规格介绍

"这份文档是HYNIX公司关于HYSXS02647 SDRAM芯片的详细资料，包括产品概述、修订历史以及关键参数的变更。" 在电子设计领域，SDRAM（Synchronous Dynamic Random-Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器，它与系统时钟同步工作，提高了数据传输速度。HYNIX公司的HYSXS02647是一款64Mb的同步DRAM芯片，基于1Mx4 Bankx16 I/O架构，即每个芯片有4个内存银行，每个银行的大小为1Mx16位，总共提供64Mb（8MB）的存储容量。 文档的修订历史显示了产品规格的不断更新和优化： - 在Rev.1.0中，首次发布了该版本，时钟周期（tCK）的最小值从2.0ns变为2.5ns，对应7ns至7.5ns(CL3)的产品。 - Rev.1.1中，修改了输入高/低电压参数，直流特性中的IDD2NS电流从18mA降至15mA，IDD5电流也有所调整，针对不同速度（200/166/143/133MHz）进行了优化。同时，还调整了时钟高/低脉冲宽度时间、激活时间（tACT）和行到行的读取延迟时间（tRRD）。 - Rev.1.2对修订号进行了修正，并删除了修订历史中的备注，同时更新了交流操作条件，将CL从50pF更改为30pF，直流操作条件中VIH的最大值从VDDQ+2.0变为VDDQ+0.3，VIL的最小值从VSSQ-2.0变为-0.3。 - Rev.1.3在订购信息中对超低功耗做了修正。 - Rev.1.4纠正了引脚分配中的错误，将A12引脚标记为非连接（NC）。 - 最后的Rev.1.5版本主要是对之前的修订进行了一些修正。 这些变更体现了HYNIX公司在产品开发过程中对性能和兼容性的持续改进，以满足不同应用场景的需求。对于使用FPGA（Field-Programmable Gate Array）的工程师来说，了解这些参数和变更至关重要，因为FPGA常需要与SDRAM芯片进行接口设计，以实现高速的数据存储和处理。理解这些规格可以帮助设计者优化系统性能，确保电路的稳定性和可靠性。