UT70P03L-TN3-R-VB: 30V P沟道TO252封装MOS管特性与规格

UT70P03L-TN3-R-VB是一种P沟道高压MOS场效应晶体管（MOSFET），采用标准的TO252封装。这款器件是专为满足RoHS 2002/95/EC指令设计的，确保了环保合规性，适合于对电子设备中的元器件有严格环保要求的应用场合。 其主要特点包括： 1. **电气特性**： - **最大电压参数**：栅极-源极电压（VGS）范围为±20V，确保了在安全工作条件下提供强大的开关能力。 - **连续电流**：在25°C下，最大连续漏极电流（ID）为-70A，随着温度升高有所降低，如在125°C时降为-58A。 - **脉冲电流**：最大脉冲漏极电流（IDM）高达-240A，适用于短时间高功率需求。 - **雪崩电流**：能够承受的雪崩电流（IAR）为-60A，与能量吸收能力相关，此处规定了在0.1mH电感下的重复性雪崩能量为180mJ。 - **功率消耗**：最大功率耗散（PD）限制在W级，具体数值未给出，但表示在操作过程中需注意散热管理。 2. **温度范围**： - **操作和储存温度**：从-55°C到175°C，保证了器件在宽温范围内稳定工作。 - **热阻抗**：提供了junction-to-ambient（热结至环境）和junction-to-case（热结至封装）的热阻值，有助于评估散热设计的要求。 3. **封装**：TO252封装，这是一种常见且通用的封装类型，适用于多种电路板布局。 4. **产品概述**： - **漏极电压**：VDS在不同栅极偏置下有不同的开启电压，如在VGS=-10V时，RDS(on)为0.009Ω。 - **典型数据**：给出了在特定条件下（TC=25°C, TA=25°C）的RDS(on)值，如-30V时为0.009Ω。 5. **非RoHS兼容性**： - 提示：尽管主体部分符合RoHS要求，但封装中的铅(Pb)含量不合规，可能需要额外考虑豁免情况或替代方案。 6. **支持信息**： - **服务热线**：400-655-8788，用户可以查询更多关于UT70P03L-TN3-R-VB的详细信息和技术支持。 UT70P03L-TN3-R-VB是一款适用于工业和电子应用的高性能P沟道MOSFET，具备优秀的电压和电流控制能力，同时考虑到了环保和热管理的需求。在设计电路时，工程师需要结合产品手册提供的数据和限制条件进行精确选型和电路设计。