关于关于MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点管寄生参数的影响和其驱动电路要点
我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候,有很多寄生参数,其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄
生的源边感抗主要有两种来源,第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗,另外一个就是源边引脚到
地的PCB走线的感抗(地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径)。在某些情况下,加入测
量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。 mos管是什么? mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体
(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可
以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不
会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输
出N沟道mos管符号一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体
管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的
transconductance, 定义为输出
我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候,有很多寄生参数,其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。寄生的源边感抗
主要有两种来源,第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bonding线的感抗,另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗(地是
作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径)。在某些情况下,加入测量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。
mos管是什么?
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—
半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样
的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出N沟道mos管符号一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定
义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的
增益等于它的transconductance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参
考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管
场效应管通过投影P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所
以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导
体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合
取代了双极型晶体管。