MTB1D7N03E3-VB MOSFET: 30V N沟道MOSFET技术规格与应用解析
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更新于2024-08-03
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"MTB1D7N03E3-VB-MOSFET是一款N沟道MOSFET,适用于30V工作电压,具备低RDS(ON)特性,其在10V栅极电压下RDS(ON)为2mΩ,在4.5V栅极电压下为2.8mΩ。该器件具有1.7V的阈值电压,且符合RoHS指令2011/65/EU的要求。主要应用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等领域。"
MTB1D7N03E3 MOS管是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于在各种电子设备中作为开关或放大元件。这款器件的主要特点是其低导通电阻(RDS(ON)),在10V的栅极-源极电压(VGS)时,其RDS(ON)仅为2毫欧,而在4.5V的VGS时,这一数值为2.8毫欧。这意味着在高电流传输时,它能提供非常低的电压降,从而提高电源效率。
这款MOSFET的绝对最大额定值包括30V的漏极-源极电压(VDS),±20V的栅极-源极电压(VGS),以及在不同温度下的连续漏极电流(ID)。例如,在25°C下,ID可达39安培,而在70°C时,ID降低至2安培。此外,瞬态脉冲漏极电流(IDM)可达30安培,单脉冲雪崩能量(EAS)为375毫焦。
MTB1D7N03E3 MOSFET的持续源漏二极管电流(IS)在25°C下为90安培,且其最大功率耗散(PD)在25°C时为250瓦,在70°C时降低到175瓦。这些参数确保了MOSFET在高温工作环境下的稳定性。热特性方面,该器件的最大结壳热阻(RthJC)和最大结温到环境的热阻(RthJA)分别为32°C/瓦和40°C/瓦,这表明其具有良好的散热性能。
在实际应用中,如OR-ing电路中,MOSFET可以用来并联电源路径,确保单一电源故障时系统仍能正常运行。在服务器中,MOSFET可能用作电源管理,控制电流流经硬件组件。而在DC/DC转换器中,MOSFET可作为开关元件,实现电压转换和功率调节。
总结而言,MTB1D7N03E3 MOSFET以其低RDS(ON)和高电流处理能力,适用于需要高效电源管理和大电流开关的场合。其符合RoHS标准,意味着它不含铅且对环境友好,是现代电子设计的理想选择。
2024-05-17 上传
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2023-05-24 上传
2024-08-08 上传
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