SN-D05：集成半桥驱动 MOS 功率芯片在无线充电的应用

"SND05是一款集成半桥驱动MOS的功率芯片，常用于无线充电设备，具备宽电源电压范围、高工作频率、内置保护功能等特点。" SND05是由深圳旭新生电子科技有限公司开发的一款集成驱动及两个开关管的无线充电发射端功率芯片。这款芯片特别适用于无线充电应用，它将驱动电路和两颗高效的功率级场效应管集成在一起，减少了外部组件的需求，提高了系统的紧凑性和效率。 在核心特性方面，SND05支持宽电源电压范围，可以从3.6V到20V，这意味着它能够在多种电源环境下稳定工作。其输出功率可达15W，适合大多数无线充电需求。芯片的工作频率高达500KHz，允许更快的充电速度和更小的电磁干扰。此外，它内置了一个自举高压PMOS管，可以减少电压损失，提高转换效率。 SND05还集成了5V/30mA的低压差稳压器（LDO），用于为微控制器（MCU）供电，同时提供过充保护。输入管脚兼容5V和3.3V的控制信号，增加了设计的灵活性。在保护机制上，该芯片具有欠压保护和过温保护功能，确保在异常情况下能自动关闭以保护系统。例如，当VDD电压低于欠压保护阈值时，芯片会关闭输出级的功率管，直至电压恢复。过温保护则在芯片温度过高时启动，防止损坏。 封装方面，SND05采用的是SOP8-PP封装，这种封装形式提供了良好的散热性能。在实际应用中，SND05常用于BUCK、BUCK-BOOST等变换器设计，是无线充电功率发生器的理想选择。 在功能细节上，SND05还拥有自适应死区时间控制，确保在任何工作状态下，输出级的上下管不会同时导通，避免了可能造成的内部短路问题。通过内置的检测电路，当PWM信号从“H”变为“L”时，上管关闭，经过设定的死区时间后，下管才会打开；反之亦然。同时，SND05的自举结构使得高压PMOS在PWM为“L”时打开，为BS电容充电，PWM为“H”时关闭，以维持系统正常运行。 SND05集成半桥驱动MOS功率芯片以其高效、安全和灵活的设计，成为了无线充电领域的一个重要解决方案，适用于各种无线充电发射端设备的开发和制造。