硫化处理 NiW 合金基带形成c(2×2)-S超结构的研究

"NiW合金基带表面c(2×2)-S超结构的硫化处理 (2011年)" 本文主要探讨了在NiW合金基带上通过硫化处理形成c(2×2)-S超结构的技术，以优化氧化物缓冲层的织构控制。研究指出，由于硫(S)与氧(O)的化学性质相似，可以利用硫在镍(Ni)基带表面的吸附和脱附来创建一种有序的c(2×2)超结构。这一过程涉及在120℃条件下使单质硫挥发，并使其在基带表面形成稳定的化学键合。 实验结果显示，采用新方法处理的NiW基带表面存在显著的硫元素痕迹。X光电子能谱(XPS)分析表明，基带表面的镍(Ni)和硫(S)的原子比例符合c(2×2)结构中S覆盖度为0.5的要求，这是构建该超结构的关键。这种有序的c(2×2)-S超结构对于防止氧化物缓冲层在Ni基带表面形成无序的氧化物层具有重要意义。 在进行硫化处理后的NiW基带上制备氧化物缓冲层，研究发现新硫化技术显著改善了基带的物理化学特性。这些改进包括增强的表面稳定性、更好的界面相容性和优化的晶体质量，从而有利于氧化物的外延生长。这对于提高基于NiW基带的微电子和纳米电子器件的性能至关重要，因为高质量的缓冲层可以减少缺陷，提高器件的工作效率和可靠性。 此外，该研究还提及了该工作背后的研究背景和技术路线。研究得到了多项科研基金的支持，包括国家高技术研究发展计划项目、陕西省自然科学基金资助项目以及中央高校基本科研业务费专项资金资助项目。作者团队包括来自东北大学和西北有色金属研究院的学者，他们在材料科学和金属合金领域具有深厚的学术背景和实践经验。 这项2011年的研究展示了通过硫化处理在NiW合金基带上创造c(2×2)-S超结构的创新方法，该方法对优化氧化物缓冲层的制备和提升基于NiW的微电子器件性能具有重要价值。通过精细调控表面化学，该技术为材料科学特别是半导体制造领域的研究提供了新的思路。