英飞凌IMZ120R090M1H SiC MOSFET技术规格书

"IMZ120R090M1H是英飞凌科技公司生产的CoolSiC™系列1200V SiC Trench MOSFET芯片的中文规格书。该芯片以其极低的开关损耗、无阈值的导通特性、基准栅极阈值电压（VGS(th)=4.5V）、零关断栅极电压、可完全控制的dv/dt、坚固的体二极管以支持硬换流以及温度独立的关断开关损耗等特性，广泛应用于能源生成、工业电源供应和基础设施充电等领域。" 在深入探讨这个芯片之前，先理解几个关键概念： 1. **SiC Trench MOSFET**：SiC（碳化硅）是一种高性能半导体材料，以其高热导率、高击穿电场、高饱和电子迁移率和宽禁带宽度等优点，使得基于SiC的MOSFET在高压、高温和高频应用中表现出色。Trench结构则意味着沟槽型MOSFET，通过在硅片上刻蚀出深沟槽，提高了器件的开关性能和耐压能力。 2. **Very low switching losses**：开关损耗是电力电子设备中一个重要的考虑因素，因为它直接影响到系统的效率。英飞凌的这款芯片通过优化设计，大大降低了开关过程中产生的能量损失，从而提高了系统的整体效率。 3. **Threshold-free on-state characteristic**：无阈值的导通特性意味着器件在较低的栅极电压下即可轻松开启，简化了驱动电路的设计。 4. **0V turn-off gate voltage**：在关断时，栅极电压为0V，这简化了栅极驱动器的设计，并减少了开关过程中的不确定性。 5. **Robust body diode for hard commutation**：体二极管是MOSFET内部的一个重要组成部分，用于反向电流的平滑处理。英飞凌的这款芯片具有坚固的体二极管，能承受硬换流（即没有外部续流二极管的情况下的换流），确保了系统在高负载条件下的稳定工作。 6. **Sense pin**：感测引脚用于优化开关性能，可以监测和控制MOSFET的工作状态，提高系统的动态响应和稳定性。 7. **Industrial applications**：该芯片被认证适用于工业环境，符合JEDEC47/20/22的相关测试标准，表明其具有良好的可靠性和耐久性，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、工业开关模式电源（SMPS）和充电设备等领域。 IMZ120R090M1H是一款专为高效、高频率和高功率密度应用设计的SiC Trench MOSFET，它的特性不仅有助于提高能源转换的效率，还降低了冷却需求，减少了系统复杂性和成本，是现代电力电子系统中的理想选择。需要注意的是，源极和感测引脚不能互换，否则可能导致设备功能异常。