西南科技大学模电期末复习指南：含全面试题与答案

"该资源是西南科技大学《模拟电子技术》（模电）课程的期末复习题，包含了完整的题目和答案，适用于复习和备考。题目涵盖了模电的基本概念、运算放大器的工作原理、半导体理论、晶体管特性、放大电路分析以及各种放大电路的特性和应用。" 这篇资料详细列出了模电的复习题目，包括了判断题，涉及了多个关键知识点： 1. 运算放大器的“虚短”和“虚断”原则是求解运算电路的基础，适用于闭环系统分析。 2. 理想运放的两个输入端（非反相与反相端）在任何条件下都保持电位相等，即vN=vP。 3. 在闭环条件下，可以利用虚短和虚断概念对集成运放进行分析。 4. 反相求和电路中，反相输入端视为虚拟地，反馈电阻上的电流近似等于输入电流之和。 5. 温度升高，本征半导体中的自由电子和空穴数量均增加，且增量相当。 6. N型半导体的多数载流子是自由电子，但整个半导体不带电。 7. BJT晶体管放大状态下，集电极电流主要由多子漂移运动产生。 8. 放大电路必须有直流电源才能正常工作，以提供偏置电流。 9. 放大电路的能量来源并非信号源，而是电源。 10-12. 共集电极电路（又称射极跟随器）无电压放大，但有电流增益，而放大作用需要至少一项电量放大。 13. 放大电路的交流分量由信号源提供，直流分量由电源提供。 14. 判断晶体管类型（PNP/NPN，硅/锗）及电极识别，需结合实际电位判断。 15. 射极输出器并非共射极放大电路，而是具有电流放大和低输出阻抗的特殊结构。 16. 饱和失真不仅存在于共射放大电路，还可能出现在其他类型的放大电路中。 17. 共射放大电路的输入电阻通常小于共基电路，而共基电路的输出电阻最小。 18. 高频信号下放大倍数下降主要是耦合电容和旁路电容的频率响应造成的。 19. 耗尽型N沟道MOSFET，当GS电压小于零时，ID接近于零，晶体管处于截止状态。 这些题目覆盖了模电课程的主要内容，包括半导体物理、放大器基础、晶体管特性、放大电路分析与设计等多个方面，对于学习者来说是一份全面的复习材料。通过解答这些题目，学生可以巩固理论知识，提高对模拟电路的理解和分析能力。