AP2346GN-HF-VB N-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数
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更新于2024-08-03
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"AP2346GN-HF-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于DC/DC转换器等应用。该器件具备低电阻、环保特性,并通过了严格的测试。"
AP2346GN-HF-VB是一款高性能的N-Channel沟道MOSFET,采用SOT23小型封装,设计紧凑,适用于需要高效能和节省空间的电路。其主要特点包括:
1. **环保认证**:符合IEC61249-2-21标准的无卤素设计,同时符合RoHS指令2002/95/EC,这使得它在电子制造中更具有环保性。
2. **TrenchFET技术**:采用TrenchFET结构,这种技术利用沟槽型栅极,提高了器件的开关性能和效率,降低了导通电阻(RDS(on))。
3. **低导通电阻**:在VGS=10V时,RDS(on)仅为30mΩ,而在VGS=4.5V时,RDS(on)为33mΩ,这表明在较低的驱动电压下也能保持良好的导通状态,有利于降低功耗。
4. **100%Rg测试**:所有产品都经过了100%的栅极电荷(Rg)测试,确保了产品的质量和一致性。
5. **应用领域**:AP2346GN-HF-VB特别适合用在DC/DC转换器中,可以高效地控制电流流动并转换电压,适用于电源管理、电池供电设备以及需要电压调节的电路。
6. **电气参数**:
- **耐压能力**:最大漏源电压VDS为30V,能够承受较高的电压波动。
- **连续漏极电流**:在不同温度下,ID的最大值有所不同,如在TJ=150°C和TC=25°C时分别为6.5A和6.0A。
- **脉冲漏极电流**:IDM的最大值为25A,表明在短时间内可以处理更高的电流峰值。
- **源漏二极管电流**:连续源漏二极管电流IS在TJ=25°C时为1.4A,脉冲状态下则更高。
7. **热性能**:器件的最大功率耗散在不同温度下有所不同,TC=25°C时为1.7W,而TC=70°C时为1.1W,这些参数对于确定散热设计至关重要。
8. **操作与存储温度**:工作和储存的温度范围是-55°C到150°C,确保了器件在宽温范围内都能稳定工作。
9. **焊接建议**:推荐的最大峰值焊接温度为260°C,以确保器件在组装过程中的可靠性。
AP2346GN-HF-VB是一款适用于高效率、小尺寸需求的应用的MOSFET,它的低电阻特性使其成为电源转换和管理的理想选择。在设计电路时,考虑其电气参数、热性能和环境兼容性,可以优化系统性能并确保长期可靠性。
2024-04-09 上传
2024-03-14 上传
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