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南昌大学2012年单片机实验教程:清零、拆字、拼字与数据块移动
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更新于2024-07-01
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南昌大学2012年的单片机实验课程包含多个基础实验项目,旨在让学生深入理解和掌握单片机的工作原理与编程技术。首先,清零实验着重于存储器的操作,学生需学会如何使用内部RAM和外部RAM,通过设置特定地址和长度,实现内存内容的清零或置特定值。这个过程不仅锻炼了他们对存储器读写方法的理解,还让他们熟悉单片机的编程和调试流程。 拆字程序是另一个实验,通过汇编语言设计,学生学习如何处理数据的位操作,如高位到低位的传输,并对低位进行清零,这对于数据传输到显示缓冲区具有实际应用价值。此实验强调了汇编语言编程技巧和调试能力的提升。 拼字程序涉及BCD数的合并,要求将两个独立的四位BCD数组合成压缩形式,存入指定位置,进一步巩固了数字处理和内存操作的知识。 数据块移动实验则着重于内存管理,学生们在此实验中会学到如何在内存中移动数据块,这在数据复制和图形处理等场景中至关重要。通过实际操作,他们能深化对内存读写机制的认识。 这些实验不仅提升了学生的编程技能,也帮助他们理解单片机硬件的结构和工作原理,培养了他们解决问题的能力。每个实验都伴随着参考程序和框图,便于学生在实践中理解和掌握相关知识。使用的主要工具包括PC机和Wave软件,这些都体现了课程实践性和技术导向的特点。
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二、实验内容
1、 P3.3 口做输入口,外接一脉冲,每输入一个脉冲,P1 口按十六进制加一。
2、 P1 口做输出口,编写程序,使 P1 口接的 8 个发光二极管 D1—D8 按 16 进制加一方式点
亮发光二极管。
三、实验说明
1、 P1 口是准双向口,它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同,由准双向口结构
可知:当 P1 口作为输入口时,必须先对它置高电平,使内部MOS 管截止,因内部
上拉电阻是 20KΩ —40KΩ ,故不会对外部输入产生影响。若不先对它置高,且原
来是低电平,则 MOS 管导通,读入的数据是不正确的。
2、 延时子程序的延时计算问题。对于延时程序
DELAY :MOV R6, #00H
DELAY1:MOV R7, #80H
DJNZ R7, $
DJNZ R6, DELAY1
查指令表可知 MOV、DJNZ 指令均需用两个机器周期,而一个机器周期时间长度
为 12/ 6.0MHZ,所以该段指令执行时间为:((80+1)×256+1)×2×(12÷6000000)=132.1ms
四、实验程序框图
R 6 设 初 值 F F H
开 始
P 3. 3 为 高 吗 ?
N
延 时
Y
R 7 设 初 值 F F H
R 7 - 1 = 0 否 ?
Y
N
P 3. 3 真 的 为 高
吗 ?
N
P 3. 3 为 低 吗 ?
N
延 时
Y
N
R 6 - 1 = 0 否 ?
Y
Y
返 回
A + 1 送 P 1 口
循 环
五、实验线路图
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