英飞凌IQE013N04LM6CG MOSFET芯片技术规格书
"IQE013N04LM6CG是英飞凌(INFINEON)生产的一款电子元器件芯片,属于OptiMOSTM系列的功率MOSFET,适用于同步整流。这款N沟道逻辑电平MOSFET具有非常低的导通电阻RDS(on),最大值为1.35毫欧,可承受40伏的电压(VDS)。其设计考虑了卓越的热性能,并且已经按照JEDEC标准为工业应用进行了全面的资格验证。此外,该芯片符合无铅、RoHS兼容和卤素免费的要求,符合IEC61249-2-21的标准。" 此PDF文件包含以下关键信息: 1. **产品特性**:IQE013N04LM6CG优化了同步整流功能,具有极低的导通电阻,适合高效率电源转换。此外,它通过了100%雪崩测试,确保了在过压情况下的稳定性,且具有优秀的热阻性能。芯片为N沟道设计,栅极驱动电压适应逻辑电平。 2. **电气参数**:最大 Drain-to-Source 电压VDS为40V,最大RDS(on)为1.35mΩ,允许的最大电流ID为205A,漏源电荷Qoss为45nC,总栅极电荷Qg(0V..10V)为41nC。 3. **封装信息**:采用PG-TTFN-9-1封装,封装标记为01304C6。这种封装设计有助于提高散热性能,适合高密度电路板布局。 4. **合规性**:产品符合无铅和RoHS(欧盟关于限制在电子电气设备中使用某些有害物质的指令)要求,同时也满足卤素免费标准,这意味着它是对环境友好的电子产品。 5. **文档结构**:数据手册包括描述、最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图表、封装轮廓、修订历史、商标信息以及免责声明等内容,为用户提供了全面的技术参考资料。 6. **应用范围**:由于其低RDS(on)和高性能,这款MOSFET适用于电源管理中的高效开关操作,尤其是在需要高效率同步整流的场合,如DC-DC转换器、适配器和服务器电源等。 7. **验证与认证**:产品已按照JEDEC标准进行工业应用的全面资格验证,确保了在各种工作条件下的可靠性和稳定性。 IQE013N04LM6CG是一款高性能、高效率的电子元器件,专为要求严苛的工业级电源应用而设计,其技术参数和认证保证了其在实际使用中的优秀表现和长期可靠性。
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