TP0610K-T1-E3-VB:高性能P沟道SOT23 MOSFET
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更新于2024-08-03
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TP0610K-T1-E3-VB是一种P沟道MOSFET,采用SOT23封装,适用于高侧开关应用。该器件具有低导通电阻(3Ω典型值),低阈值电压(-2V典型值),快速切换速度(20ns典型值),低输入电容(20pF典型值)等特点。它符合无卤素IEC61249-2-21标准,并且兼容RoHS指令2002/95/EC。
详细说明:
TP0610K-T1-E3-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),设计用于在60V的工作电压下操作。其主要特点是使用了TrenchFET®技术,这是一种通过在硅片上制造深沟槽结构来提高性能的技术,能降低导通电阻并提高开关速度。由于是P沟道MOSFET,它在栅极和源极之间施加负电压时导通,适合用作高侧开关,即在电源正极侧控制电流。
这款MOSFET的特性包括:
1. 低导通电阻:3Ω(在VGS = -10V时),这使得在导通状态下的功率损失减小,从而提高了效率。
2. 低阈值电压:-2V(典型值),这意味着需要较小的控制电压就能开启MOSFET。
3. 快速切换速度:20ns(典型值),使得在高频开关应用中表现优秀。
4. 低输入电容:20pF(典型值),有助于减少信号处理中的负载影响。
5. 符合RoHS标准,无卤素,符合环保要求。
在电气参数方面,TP0610K-T1-E3-VB的绝对最大额定值如下:
- 源漏电压(VDS):-60V
- 栅源电压(VGS):±20V
- 连续漏电流(ID):在25°C时为-500mA,在100°C时为-350mA
- 脉冲漏电流(IDM):-1500mA
- 功率耗散(PD):在25°C时为460mW,在100°C时为240mW
- 最大结壳热阻(RthJA):350°C/W
- 工作和储存温度范围:-55°C到150°C
封装形式为SOT23,是一种小型表贴器件,适合空间有限的应用。此外,该产品还提供了详细的脉冲测试条件和切换时间信息,以确保在实际应用中的可靠性和稳定性。
TP0610K-T1-E3-VB是一款适用于需要高效、快速切换和紧凑封装的电子设备中的P沟道MOSFET,特别适合于电源管理、驱动电路和其他高密度电路设计。用户可以通过VBsemi.com或服务热线400-655-8788获取更多产品信息和技术支持。
2024-01-02 上传
2023-12-25 上传
2023-03-28 上传
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