TP0610K-T1-E3-VB：高性能P沟道SOT23 MOSFET

TP0610K-T1-E3-VB是一种P沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于高侧开关应用。该器件具有低导通电阻（3Ω典型值），低阈值电压（-2V典型值），快速切换速度（20ns典型值），低输入电容（20pF典型值）等特点。它符合无卤素IEC61249-2-21标准，并且兼容RoHS指令2002/95/EC。 详细说明: TP0610K-T1-E3-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于在60V的工作电压下操作。其主要特点是使用了TrenchFET®技术，这是一种通过在硅片上制造深沟槽结构来提高性能的技术，能降低导通电阻并提高开关速度。由于是P沟道MOSFET，它在栅极和源极之间施加负电压时导通，适合用作高侧开关，即在电源正极侧控制电流。 这款MOSFET的特性包括： 1. 低导通电阻：3Ω（在VGS = -10V时），这使得在导通状态下的功率损失减小，从而提高了效率。 2. 低阈值电压：-2V（典型值），这意味着需要较小的控制电压就能开启MOSFET。 3. 快速切换速度：20ns（典型值），使得在高频开关应用中表现优秀。 4. 低输入电容：20pF（典型值），有助于减少信号处理中的负载影响。 5. 符合RoHS标准，无卤素，符合环保要求。 在电气参数方面，TP0610K-T1-E3-VB的绝对最大额定值如下： - 源漏电压（VDS）：-60V - 栅源电压（VGS）：±20V - 连续漏电流（ID）：在25°C时为-500mA，在100°C时为-350mA - 脉冲漏电流（IDM）：-1500mA - 功率耗散（PD）：在25°C时为460mW，在100°C时为240mW - 最大结壳热阻（RthJA）：350°C/W - 工作和储存温度范围：-55°C到150°C 封装形式为SOT23，是一种小型表贴器件，适合空间有限的应用。此外，该产品还提供了详细的脉冲测试条件和切换时间信息，以确保在实际应用中的可靠性和稳定性。 TP0610K-T1-E3-VB是一款适用于需要高效、快速切换和紧凑封装的电子设备中的P沟道MOSFET，特别适合于电源管理、驱动电路和其他高密度电路设计。用户可以通过VBsemi.com或服务热线400-655-8788获取更多产品信息和技术支持。