DDR SDRAM规格与特性：双倍数据速率内存标准

"JESD79F标准详细介绍了Double Data Rate (DDR) SDRAM的规范，这是一种高速CMOS动态随机存取存储器，内部配置为四银行结构。该规格涵盖了不同容量的DDR SDRAM，从64 Mb到1 Gb不等。设备的数据传输率翻倍，每个时钟周期可进行两次数据传输。此外，它还具备双向数据 strobe (DQS) 功能，用于接收和发送数据，并与数据同步，以便在接收端捕捉数据。DQS信号在读取操作中与数据边缘对齐，而在写入操作中则与数据中心对齐。" DDR SDRAM的主要特点包括： 1. 双倍数据速率架构：DDR SDRAM能在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而实现了比传统SDRAM更高的数据传输速度。 2. 数据 strobe (DQS)：DQS信号与数据一起发送和接收，为数据捕获提供精确的时钟参考。在读取操作中，DQS信号与数据边缘对齐；在写入操作中，DQS信号位于数据的中心，确保数据传输的准确性。 3. 差分时钟输入：使用CK和CK#（反相时钟）信号，提高了信号完整性，降低了干扰。 4. 时钟和数据对齐：DLL（延迟锁相环）用于同步DQ和DQS信号与时钟CK的转换，确保数据传输的精确时序。 5. 命令输入：命令在每个时钟CK的正沿进入，而数据和数据掩码则参照DQS的两个边沿。 6. 四个内部银行：允许并发操作，提高了内存访问效率。 7. 写入数据的datamask (DM)：允许在写操作中选择性地忽略某些数据位。 8. 不同的突发长度：支持2、4或8个连续的地址访问。 9. CAS延迟：提供2或2.5的CAS延迟选项，DDR400还支持CL=3的更低延迟。 10. 自动预充(AUTO PRECHARGE)功能：每个突发访问后自动进行预充操作，提高内存操作的连续性。 11. 自动刷新和自刷新模式：确保内存数据的完整性，即使在系统待机时也能保持数据。 12. I/O接口电压：采用2.5V（SSTL_2兼容）接口，确保低功耗和稳定性。 13. VDDQ：这是数据线电源电压，与VDD主电源电压一起，为设备提供稳定的电源环境。 DDR SDRAM的设计和特性使其成为高性能计算、图形处理和其他需要高速数据传输的应用的理想选择。这些技术进步对于满足不断增长的系统带宽需求至关重要。