2017年MOSFET驱动器技术详解：类型、设计与应用

该文档是一份关于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件类型和技术的详细指南，重点介绍了2017年5月26日更新的rk平台中的EMMC 5.1修改内容。MOSFET被广泛应用于电源领域，其发展可以追溯到20世纪70年代，经历了双扩散晶体管、多晶硅栅极结构和V型沟道技术等关键改进，以提高集成密度和开关性能。主要的MOSFET类型包括双扩散MOS、沟道MOS和横向功率MOS，后者由于电容减少而具有更快的开关速度和更低的栅极驱动功率需求。 文章详细探讨了MOSFET栅极驱动器电路的基本原理，特别是针对高速开关应用的高性能设计。它强调了设计过程中需要考虑的因素，如寄生器件的影响、瞬态响应和极端工作条件。作者拉斯洛·鲍拉格通过逐步解释，引导读者理解接地参考、高侧和低侧栅极驱动电路的设计流程，包括交流耦合、变压器隔离解决方案，以及同步整流器应用中的特殊考虑。 报告还提供了多个设计示例，涉及从简化模型到复杂驱动器电路，如集成双极晶体管和 Totem-Pole MOSFET 驱动器。内容包括MOSFET开通阶段、关断时间间隔、典型栅极电荷与栅源极电压的关系，以及如何通过谐振电路和增强电路来优化开关速度。 此外，文中还提到了在栅极驱动器概述页面可以获取更多关于MOSFET和IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的详细信息。报告最后给出了总结和参考文献，附录部分包含了图表和详细的电路目录。 这份文档为电子设备工程师提供了解决MOSFET栅极驱动设计中各种挑战的实用工具，无论他们对技术的理解程度如何，都能从中获益匪浅。