计算机存储器详解:SRAM时序与存储类型

需积分: 50 0 下载量 35 浏览量 更新于2024-08-22 收藏 965KB PPT 举报
"本资源为SRAM时序的讲解,主要涉及存储器的基本概念、分类以及SRAM的工作原理。" 本文将深入探讨计算机存储器,特别是SRAM(静态随机访问存储器)的时序和相关知识。首先,我们来看存储器在计算机系统中的角色。主存储器,也就是RAM,是计算机中用于存储当前运行程序和数据的核心部分。它通过地址总线AB、数据总线DB和控制总线CB与CPU和其他部件交互。存储器的容量由地址总线的位数决定,而数据传输速率则与数据总线的位数和工作频率成正比。 SRAM是一种常见的RAM类型,它能够在不刷新的情况下保持数据,因此适合用作高速缓存。读取SRAM的过程包括一系列时序步骤:首先,提供有效的地址;接着,使芯片选择信号(CS)变为有效,这使得SRAM准备读取数据;随后,数据开始在数据总线上输出;当读取操作完成后,CS被复位,最后地址被撤销,结束读周期。 在存储器的分类中,除了SRAM,还有DRAM(动态随机访问存储器),它们之间的一个主要区别在于,DRAM需要定期刷新来保持数据,而SRAM则不需要。此外,还有一种只读存储器(ROM),包括PROM、EPROM和EEPROM等,它们在制造后可以一次性写入数据,并且在没有特殊操作的情况下无法修改。 ROM主要用于存储固定不变的信息,例如固件或初始化程序。其中,掩模式ROM在制造时即被编程,而PROM、EPROM和EEPROM则允许用户在不同的程度上进行编程和擦除。EPROM可以通过紫外线照射来清除数据,而EEPROM则可以通过电子方式擦除和重写。 存储器的基本构建块是存储元,每个存储元可以存储一个比特的信息。多个存储元组成一个存储单元,通常按字或字节组织。地址是用于唯一标识存储单元的标识符,对于ROM,地址对应于预编程的数据位置。 在ROM的实现中,熔丝式ROM如PROM,通过熔断熔丝来编程,而EPROM则使用浮置栅晶体管,通过高电压来改变其存储状态。这些不同的技术满足了不同应用场景对只读存储的需求。 理解SRAM的时序和存储器的分类对于深入掌握计算机组成原理至关重要,它们是现代计算机系统中不可或缺的部分,直接影响到数据处理的速度和效率。