华成英《模拟电子技术基础》第四版课后答案解析：半导体器件与场效应管

《模拟电子技术基础》第四版是华成英所著的一本教材，主要涵盖模拟电子技术的基础理论和实践应用。该书第一章重点介绍了半导体器件的基础知识，包括N型和P型半导体的区别、PN结的工作原理、晶体管的放大状态、场效应管的控制机制以及不同类型MOS管的特点。 在第一章的自测题部分，作者通过判断题和选择题的形式，检验学生对半导体基础知识的理解。例如： 1. 判断题中，（1）提到在N型半导体中掺入三价元素确实可以将其转变为P型半导体，这是正确的，因为三价元素如硼原子会提供空穴，增加少子数量，改变半导体类型。 2. （2）错误，虽然N型半导体的多子（自由电子）带负电，但整个半导体本身并不带电。 3. （3）正确，PN结在无光照、无外加电压时，由于扩散与漂移电流相抵消，结电流为零。 4. （4）错误，放大状态下的晶体管，集电极电流主要由基区少数载流子的扩散过程形成，并非多子漂移运动。 5. （5）正确，结型场效应管为了实现高输入阻抗，栅-源电压需要使耗尽层承受反向电压。 6. （6）错误，耗尽型N沟道MOS管的UGS（栅-源电压）大于零时，其输入电阻通常会增大，而不是减小。 选择题部分，涉及PN结在正向电压下的空间电荷区变化、二极管的电流方程、稳压管的工作状态、晶体管放大区的工作条件以及不同类型的场效应管在UGS=0V时的工作模式。 此外，还有实际电路分析题，如图T1.3中的各个电路输出电压计算，以及稳压管电路和晶体管过损耗区的绘制。这些题目旨在让学生掌握实际电路设计和分析的技能。 《模拟电子技术基础》第四版提供了丰富的习题和解析，帮助读者深入理解并掌握模拟电子技术的基本概念和实践应用，对于学习者来说是理解和巩固理论知识的重要参考资料。