SI4532CDY-T1-GE3-VB: N/P沟道30V MOSFET特性与应用概述
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更新于2024-08-03
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SI4532CDY-T1-GE3-VB是一款采用N+P双极型沟道的高性能SOP8封装MOS场效应晶体管(MOSFET),由Trench FET技术制造,旨在满足电机驱动应用中的高效率和低功耗需求。以下是该器件的关键特性:
1. **环保设计**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,符合RoHS指令2002/95/EC,体现了对环境保护的重视。
2. **性能指标**:
- N沟道MOSFET: VDS最大电压为30V,典型情况下在VGS = 10V时RDS(on)为0.018Ω,最大连续电流ID在25°C下为8A。当温度降至70°C,ID下降至6.8A。
- P沟道MOSFET: VDS的最大值为-30V,在VGS = -10V时RDS(on)为0.032Ω,25°C下最大脉冲电流IDM为-40A,源-漏电流IS约为-2.6A。
3. **测试保证**:100% Rg和UISTest,确保了在极端条件下的可靠性和稳定性。
4. **封装与应用**:
- SOP8封装方便表面安装,适用于1"x1" FR4板。
- 适用于电机驱动领域,但需注意最大稳定工作温度限制,N沟道为120°C/W,P沟道为110°C/W。
5. **温度与电流限制**:
- 长期持续电流和短时间脉冲电流在不同温度下有不同的限制,如在25°C和70°C下,N沟道和P沟道的电流分别有所下降。
6. **电气符号与引脚**:设备包括D1、G1、S1、S2、G2和D2等引脚,按照标准SO-8封装排列。
7. **绝对最大额定值**:提供了详细的参数符号和各自的极限值,如VDS、VGS、ID等,这些数据是在25°C环境下的标准条件。
SI4532CDY-T1-GE3-VB是一款适用于电机驱动应用的高性能MOSFET,具有低导通电阻、宽电压范围和严格的温度限制,同时注重环保标准,适合工业级和现代电子系统的设计。在选择和使用时,务必注意其规格限制和工作条件的要求。
2024-01-06 上传
2023-06-07 上传
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2023-07-27 上传
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