深入解析：LPDDR4x芯片的读写操作及地址控制

本篇文章是关于LPDDR4x芯片的深入学习总结，专注于芯片的读写操作。首先，我们回顾了芯片外围引脚的重要功能： 1. Row Address Select (RAS) 或 Strobe 电路：这是关键的控制信号，负责锁定行地址并启动存储周期。在每个操作开始时，RAS需要被激活，并且有最小的激活时间和预激活时间限制(tRAS和tRP)，确保操作的正确执行。此外，RAS还可以用于触发刷新操作，如RAS Only Refresh (ROR)。 2. Column Address Select (CAS) 或 Strobe：CAS用于锁定列地址并启动读写操作。CAS在内存周期中起着重要作用，它有其自身的激活时间(tCAS)和预充电时间(tCP)要求。在RAS刷新周期前，CAS可能需要提前激活并保持激活状态，除非进行ROR操作。 3. Write Enable (WE)：这是一个双向信号，低电平指示写操作，高电平表示读操作，决定数据的流向。 4. Output Enable (OE)：仅在读操作且OE为低有效时，允许数据输出。有时OE直接接地，以简化电路设计。 5. Data In/Out (DQ)：这些引脚是数据传输的主要通道，写入时存储数据，读取时从cell读取数据并反馈到DQ总线上。在多设备共享数据总线的情况下，DQ会保持高阻抗，以避免竞态条件。 接下来，文章详细讨论了DDR4芯片的内部结构，特别是镁光的DDR4功能框图中的关键组件，如地址逻辑，包括行地址锁存器、列地址解码器以及用于检测和控制IO信号的感测放大器和DM Mask。这些部件协同工作，确保数据准确无误地在芯片内部的内存阵列之间进行读写操作。 理解这些基本原理和操作对于设计和优化DDR4x系统至关重要，因为它们直接影响内存性能和系统的稳定性。掌握这些细节，无论是硬件工程师还是系统架构师，都能更好地应对LPDDR4x芯片的复杂性，提升整体系统效率。