NCE55P05S-VB：60V TrenchFET MOSFET详细规格与应用

"NCE55P05S-VB是一种P沟道的60V TrenchFET MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源管理、开关应用等。其特性包括100%的Rg和UIS测试，确保产品性能稳定可靠。" NCE55P05S-VB是一款由VBsemi公司生产的高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其核心特点在于采用了TrenchFET技术，这是一种先进的沟槽结构，旨在降低导通电阻，提高效率并减小芯片尺寸。TrenchFET设计使得NCE55P05S-VB在电源管理和开关应用中表现出优异的性能。 该器件的主要参数包括： 1. 最大drain-source电压（VDS）为-60V，确保了在高电压环境下的工作稳定性。 2. 在VGS=-10V时，RDS(on)为0.050Ω，而在VGS=-4.5V时，RDS(on)上升至0.060Ω，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗较低。 3. 每个引脚的最大连续drain电流（ID）为-8A，适合处理较大电流的应用。 4. 绝对最大额定值还包括±20V的gate-source电压（VGS），以及在不同温度下的连续drain电流和source电流限制。 此外，NCE55P05S-VB还通过了脉冲测试，脉冲宽度不超过300μs，占空比不大于2%，这证明了其在短脉冲条件下的耐用性。在1"平方的FR-4材质PCB上安装时，其结到外壳的热阻（RthJA）为110°C/W，而结到foot（drain）的热阻（RthJF）为30°C/W，这些数值对于散热管理和器件的长期可靠性至关重要。 在安全操作范围内，NCE55P05S-VB的工作结温及存储温度范围是-55°C到+175°C。在25°C环境下，最大功率损耗（PD）为5W，而在125°C时，这一值降至1.67W。单脉冲雪崩电流和能量也有明确的规格，以防止因过载或短路导致的损坏。 NCE55P05S-VB的封装形式为SO-8，引脚排列如图所示，便于在电路板上布局和焊接。VBsemi公司提供服务热线400，为客户提供技术支持和服务。 这款MOSFET适用于需要高效、低损耗和小型化解决方案的各种应用，如电源转换、电池管理系统、负载开关、马达驱动以及DC-DC转换器等。它的出色性能和可靠的制造工艺使其成为工程师在设计高效率电源系统时的理想选择。