FDS86242-VB：高性能N沟道150V MOSFET

"FDS86242-VB是一种N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源开关等应用。该器件具有极低的Qgd，优化了开关损耗，并通过了100%的Rg和 Avalanche测试，符合RoHS指令。其主要参数包括：150V的耐压，25°C时RDS(on)为0.080Ω（VGS=10V）和0.085Ω（VGS=8V），以及23nC的总栅极电荷。" FDS86242-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理中的主侧开关。这款器件采用了SOP8（小外形封装）封装，占用空间小，适合在紧凑型电路设计中使用。其特性包括： 1. **卤素免费**：根据IEC61249-2-21定义，FDS86242-VB不含有卤素，这有利于环保，降低了对环境的影响。 2. **极低Qgd**：Qgd是衡量MOSFET开关速度的关键参数，它表示栅极到漏极的电荷，FDS86242-VB的极低Qgd意味着在开关过程中损失的能量更少，从而提高了系统的效率。 3. **100% Rg和Avalanche测试**：所有产品都经过了严格的Rg测试，确保了栅极电阻的一致性，同时通过了Avalanche测试，表明其在过载条件下能承受单脉冲雪崩电流，增强了器件的可靠性。 4. **RoHS合规**：FDS86242-VB符合2002/95/EC RoHS指令，不含铅和其他有害物质，符合现代电子产品的环保要求。 在电气性能方面，该MOSFET的最大额定值包括： - **耐压VDS**：150V，这意味着它可以承受150V的电压差，适合处理高电压的应用场景。 - **导通电阻RDS(on)**：在VGS=10V时，RDS(on)为0.080Ω，而在VGS=8V时，RDS(on)为0.085Ω。较低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的内阻小，功耗更低。 - **连续漏极电流ID**：在不同温度下有不同的最大值，如25°C时为5.4A，70°C时为4.5A，确保了在不同工作条件下的稳定电流传输能力。 - **最大功率耗散PD**：在25°C时，最大功率耗散为5.9W，随着温度升高，这个值会降低，提示设计者注意散热问题。 此外，该MOSFET还具有连续源漏二极管电流IS、脉冲雪崩电流IAS和脉冲雪崩能量EAS等参数，确保了在瞬态和过载条件下的安全操作。 FDS86242-VB是一种高性能、环保、可靠的N沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗开关功能的电源系统。在实际应用中，设计者应充分考虑其电气特性，合理布局，确保其在电路中发挥最佳效能。