AP9470GM-HF-VB: 40V N-Channel MOSFET特性详解与应用指南
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更新于2024-08-03
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AP9470GM-HF-VB是一款由VBSEMI公司生产的N-Channel沟道40V耐压的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),它采用先进的Trench FET技术,旨在提供高效能、低损耗和可靠性的开关解决方案。这款SOP8封装的MOSFET在设计上注重环保,符合RoHS指令2002/95/EC的要求,并且经过了严格的100% Rg和UISTest,确保了器件的性能一致性。
该晶体管的主要特性包括:
1. **无卤素**:符合IEC 61249-2-21标准,表明其在制造过程中不含对环境有害的卤化物,有助于降低电子设备对环境的影响。
2. **Trench FET结构**:利用深沟槽工艺,提高开关速度,减小导通电阻(RDS(ON))和热损耗,适合于高频和高效率应用。
3. **耐压等级**:在标准条件下,允许的最大 Drain-Source Voltage (VDS) 为40V,而 Gate-Source Voltage (VGS) 可达±20V。
4. **电流能力**:连续工作时,最大 Drain Current (ID) 在25°C时可达50A,随着温度变化,有相应的限制。同时,还提供了瞬态峰值电流和雪崩电流规格,确保安全运行。
5. **电导损耗**:在VGS=10V时,RDS(ON)典型值为14mΩ,而在VGS=20V时,这将进一步减小,有助于优化功率转换效率。
6. **保护功能**:内置的保护机制包括100% UISTested,确保在过电压或过电流情况下能有效保护器件。
7. **散热能力**:在不同温度条件下,最大功率耗散(Pd)为6W,以及在特定条件下如L=0.1mH的电感负载下的热阻计算。
在应用方面,AP9470GM-HF-VB适用于多种场合,如同步整流、电源管理(POL, IBC)的主和副边电路,特别适合那些需要高效率和小型化的设计,例如在电力电子设备中作为开关元件,实现开关电源的高性能控制。
AP9470GM-HF-VB是适合于工业级应用的理想选择,它具备出色的开关性能、紧凑的封装形式以及环保和可靠性。在选择和使用时,需注意操作温度范围、负载条件和电源管理,以充分发挥其性能优势。
2024-04-10 上传
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2024-04-09 上传
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