英飞凌INFINEON IPD65R660CFDA CoolMOS™ 中文规格书
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更新于2024-08-03
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"IPD65R660CFDA INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf"
本文将深入探讨英飞凌(INFINEON)的IPD65R660CFDA芯片,这是一款650V CoolMOS™ CFDA功率晶体管,具有革命性的超结(Superjunction, SJ)技术。该技术由英飞凌科技公司率先研发并应用在高电压功率MOSFET上,旨在提供快速开关和高耐受性的解决方案。
首先,IPD65R660CFDA芯片采用DPAK封装,其中Pin2为漏极(Drain),Pin1为栅极(Gate),Pin3为源极(Source)。这种设计使得芯片结构紧凑,易于集成到各种电源系统中。其关键特性在于其超快体二极管,能够在开关过程中提供快速且可靠的电流转向,显著降低了开关损耗。
其次,该器件的极高耐受性体现在其非常高的关断坚韧性(Commutation Ruggedness)。这意味着在高频开关操作下,IPD65R660CFDA能承受更高的电应力而不受损,提高了系统的稳定性和可靠性。
再者,IPD65R660CFDA拥有非常低的总栅极电荷(Qg)与导通电阻(Rdson)乘积(FOM),以及极低的存储电荷(Eoss)。这些参数的优化使得在开关和传导过程中损失极小,从而提升了系统的整体效率。
此外,芯片设计考虑了易用性和驱动性。用户可以轻松地集成和控制这款MOSFET,简化了系统设计。同时,它已通过AEC Q101汽车电子元件的质量和可靠性标准认证,确保了在严苛环境下的稳定性能。
最后,IPD65R660CFDA遵循环保原则,采用绿色包装,符合RoHS标准,无铅镀层,并且不含卤素,满足现代电子产品对环保和可持续性的要求。
英飞凌的IPD65R660CFDA是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET,特别适用于要求快速开关、低损耗和高耐受性的谐振转换器和其他电力电子应用,如电源管理、电机驱动和开关电源等场景。其独特优势在于结合了超快体二极管和超低损耗的特性,以及对环境友好的制造工艺,使其成为高效、可靠的电源解决方案的理想选择。
2023-06-12 上传
2023-06-13 上传
2023-06-13 上传
2023-05-30 上传
2023-06-08 上传
2023-06-09 上传
2023-06-07 上传
2023-06-09 上传
2023-06-08 上传
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