宽禁带半导体崛起：SiC与GaN的发展前景与投资机遇

宽禁带半导体行业深度报告由中泰证券于2019年10月21日发布，重点关注碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这两种新型半导体材料的兴起和发展趋势。报告指出，尽管硅(Si)作为集成电路的基础材料在信息产业中占据核心地位，但其存在诸如光学性能和高压高频性能方面的局限性。第三代半导体的出现，特别是SiC和GaN，因其能够弥补硅的不足，逐渐成为半导体行业关注的焦点。 SiC的独特优势在于它能显著降低电能转换过程中的能量损耗，有助于小型化设计，并具有更高的耐高温和高压性能。在汽车行业，基于SiC的解决方案相较于传统方案能提升系统效率，减轻重量，因此具有巨大的市场潜力。此外，随着制备技术的进步，SiC器件的成本已趋于可接受，这将进一步推动市场需求的增长。 报告还分析了三安光电、扬杰科技和捷捷微电等公司的相关情况。三安光电被给予“增持”评级，其股价、每股收益和市盈率反映了市场对其发展前景的看好。扬杰科技和捷捷微电分别被评为“未评级”和“买入”，表明分析师认为这些公司在宽禁带半导体领域具有投资价值。 整体来看，随着5G通信、新能源汽车等新兴市场的快速发展，SiC和GaN在未来有着广阔的应用前景和商业机会。投资者和制造商应密切关注这两种材料及其相关技术的发展，以把握行业的战略机遇。报告建议密切关注行业动态和成本变化，以便及时调整投资策略。