1Gb DDR2 SDRAM技术规格详解

"NT5TU64M16GG-DDR2-1G-G-R18-Consumer.pdf 是关于1千兆位 DDR2 SDRAM 的技术规格文档，详细介绍了这种高速内存芯片的特性、组织结构和操作参数。文档涵盖了1Gb DDR2 SDRAM 的不同型号如 NT5TU256M4GE、NT5TU128M8GE 和 NT5TU64M16GG，以及它们的不同速度等级，包括 DDR2-667、DDR2-800 和 DDR2-1066。" DDR2 SDRAM 是一种第二代双倍数据速率同步动态随机访问内存，其设计目标是提供比第一代 DDR 更高的数据传输速率和更低的功耗。DDR2 SDRAM 在内部采用八进制存储体结构，每个1Gb 芯片可以组织为32Mbit x 4 I/O x 8 bank、16Mbit x 8 I/O x 8 bank 或 8Mbit x 16 I/O x 8 bank 的设备，支持高达1066 Mb/sec/pin 的数据传输速率。 关键特性包括： 1. **附加延迟的已发布CAS**：这是DDR2的一个显著特点，它允许更精细的时序控制，从而提高性能。 2. **写入延迟等于读取延迟减一**：这种设计确保了写操作相对于读操作的响应时间更快，提高了系统的整体效率。 3. **正常和弱强度数据输出驱动器**：这种设计提供了灵活性，可以根据系统需求调整输出信号的强度，减少信号干扰。 4. **可变数据输出阻抗**：通过调整输出阻抗，DDR2 SDRAM 可以适应不同的系统环境，保持信号质量。 5. **ODT（On-Die Termination）功能**：片上终结有助于减少信号反射，改善信号完整性，尤其在长信号线上的高速数据传输。 DDR2 SDRAM 使用1.8V ± 0.1V 的单电源供电，并采用BGA封装，以降低功耗和增加封装密度。所有控制和地址输入都与一对差分时钟同步，而数据输入和输出则与单端或差分 DQS 信号同步。对于不同组织的组件，地址总线的宽度也有所不同，例如x4/x8 组织使用13位地址总线，而x16 组织使用12位地址总线。 在操作参数方面，DDR2 SDRAM 提供了多个速度等级，如CL3、CL4、CL5、CL6 和 CL7，表示不同的CAS延迟。这些参数对性能至关重要，因为它们定义了数据可以从内存中读取或写入的速度。例如，DDR2-667-CL5 意味着数据速率是667MHz，CAS延迟是5个时钟周期。 此外，参数还包括： - **tRCD**（Row Address Strobe to Column Address Strobe Delay，行地址预充电到列地址选择延迟）：定义了从选中行地址到可以访问列地址所需的时间。 - **tRP**（Row Precharge Delay，行预充电延迟）：从关闭一个行到打开另一个行所需的最小时间。 - **tRC**（Row Cycle Delay，行循环延迟）：完成一个完整的行操作（读或写）所需的时间，包括tRCD和tRP。 - **tRAS**（Row Active to Auto Precharge Delay，行激活到自动预充电延迟）：在释放行之前，行保持激活状态的最短时间。 DDR2 SDRAM 还具有可编程的CAS延迟和附加延迟，允许用户根据系统需求进行微调，以及写入延迟等于读取延迟减一的特性，优化读写操作的平衡。 NT5TU64M16GG-DDR2-1G-G-R18-Consumer.pdf 文件详细阐述了1Gb DDR2 SDRAM 的关键规格和性能参数，是理解这类内存芯片工作原理和设计系统时的重要参考。