FDFS2P103A-VB：SOP8封装双P-Channel MOSFET技术规格

"FDFS2P103A-VB是一款由VBsemi生产的双P-Channel沟道场效应MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源管理、负载开关等应用。该器件具有低电阻、低阈值电压以及无卤素等特点。其主要规格包括：在VGS=10V时的RDS(ON)为35毫欧，VGS=20V时的RDS(ON)为45毫欧，Vth为-1.5V，最大连续漏极电流ID为-7A。此外，器件在不同温度下的电流能力、脉冲电流、雪崩能量以及热特性等都有明确的规定。" FDFS2P103A-VB是一款双通道P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于电源管理和负载切换场景。该器件的显著特点是采用了TrenchFET技术，这是一种深度沟槽结构，能提供更小的尺寸和更低的电阻，从而提高了效率并减少了功耗。此外，该器件是无卤素的，符合环保要求，适合绿色电子产品的设计。 在电气特性方面，FDFS2P103A-VB的最大漏源电压VDS为-30伏，这意味着它可以承受高达30伏的反向电压。而其门源电压VGS的最大值为正负20伏。在VGS=10V时，其漏极-源极导通电阻RDS(ON)仅为35毫欧，当VGS增加到20V时，RDS(ON)略微上升至45毫欧。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下，流过MOSFET的电流所产生的压降较小，有助于提高系统的效率。 阈值电压Vth为-1.5V，表明当栅极电压低于这个值时，MOSFET将无法导通。对于连续漏极电流ID，器件在25℃和70℃时分别能承载-7.3A和-5.9A的电流，但这些值会受到封装限制。此外，FDFS2P103A-VB还能够承受脉冲漏极电流DM，以及连续源漏二极管电流IS。 在热性能方面，器件的最大功率耗散在25℃和70℃下分别为5.0W和3.2W。热阻抗参数给出了器件在不同条件下的散热能力，对于热管理的设计至关重要。器件的额定工作和存储温度范围是-55℃到150℃，确保了它在广泛的环境条件下都能稳定工作。 FDFS2P103A-VB以其低电阻、高效能和良好的热特性，成为电源管理解决方案的理想选择，特别是对于需要高效率、小体积和低发热的电路设计。