STM32F103内部Flash双精度浮点数读写指南

资源摘要信息:"【STM32CubeIDE】 stm32f103的内部Flash读写，double数值读写" STM32F103是一款广泛使用的Cortex-M3微控制器，由STMicroelectronics生产。该微控制器因其高性能和丰富的集成外设而备受开发者青睐，常用于各种嵌入式应用。STM32F103内置Flash存储器，可以存储程序代码和数据，这对于不需要外部存储器的应用场景非常有用。 STM32CubeIDE是ST官方提供的集成开发环境，它结合了STM32CubeMX配置工具，能够帮助工程师更快地开始STM32项目开发。STM32CubeIDE支持代码开发、调试以及性能分析，并且可以管理软件栈，包括RTOS、中间件和各种外设驱动，极大地方便了开发者的开发流程。 在STM32F103内部Flash进行读写操作时，有几点需要特别注意： 1. Flash存储器的特性：Flash存储器有擦除周期的限制，一般来说，STM32F103系列的内部Flash擦除周期为1万次。频繁的写入操作会导致存储单元的磨损，影响Flash的寿命。 2. 写入操作：在写入Flash之前，必须先将其擦除。擦除操作通常是按扇区进行的，一个扇区的大小取决于具体型号。擦除后，可以按页写入数据。STM32F103的Flash写入操作需要谨慎处理，以避免损坏存储器。 3. double数值存储：在嵌入式系统中，double类型数据占用8个字节。由于STM32F103的Flash是按字(word，4个字节)进行编址的，因此存储一个double类型数据需要跨越两个连续的存储地址。根据描述，低位地址存储double数值的低位部分，高位地址存储double数值的高位部分，这样的存储策略被称为“小端模式”(little-endian)。数据的首地址为存储地址的低位，意味着如果我们有一个指针指向double数值的首地址，那么通过指针操作，我们可以正确读写整个double数值。 4. Flash读取操作：读取Flash相对简单，可以直接通过指针访问Flash内存地址来读取数据。当读取double数值时，同样需要考虑到数据跨越了两个字的存储空间，因此需要正确计算地址并一次性读取完整的数据。 5. Flash编程接口：STM32F103提供了一套Flash编程接口，用于管理擦除和编程操作。开发者必须使用这些API来进行Flash的读写操作，而不是直接操作内存地址，这样可以确保Flash存储器的安全和可靠。 【STM32CubeIDE】stm32f103的内部Flash读写，double数值读写的实现步骤大致如下： a. 初始化Flash存储器：在程序中设置Flash控制寄存器，确保Flash处于可编程模式。 b. 擦除Flash：选择要写入数据的目标扇区或页，并执行擦除操作。 c. 编程Flash：将double数值分解为两部分，分别写入到低位和高位的地址中，确保数据按照小端模式存储。 d. 读取Flash：根据double数值的存储方式，计算首地址，通过指针一次性读取完整的double数值。 由于涉及到Flash的直接读写操作，开发者需要有一定的嵌入式编程经验，对STM32F103的内存布局和Flash特性有深入理解。在编写代码时，应该遵循最佳实践，确保数据安全和程序的稳定性。此外，在产品开发中，还应当考虑Flash的写入次数限制，并合理规划数据存储策略，以延长产品的使用寿命。