三维封装技术：集成电路的新里程碑

"集成电路封装技术，特别是三维封装技术(3D封装)，是现代微电子领域中的一个重要环节，旨在提升集成电路的性能、集成度和功率效率。3D封装通过在垂直方向上堆叠多个芯片，实现了更小的封装尺寸，更高的数据传输速率，以及更低的功耗。这种技术最初应用于快闪存储器和SDRAM的叠层封装，如今已广泛扩展到各种应用，如CIS发射器、MEMS封装和标准器件封装。 3D封装的关键技术之一是垂直互连工艺，它确保了芯片之间的电源、接地和信号传输。垂直互连分为几种主要类型： 1. 叠层IC间的外围互连：涉及芯片边缘的互连，通常用于基本的电气连接。 2. 叠层IC之间的区域互连：更复杂，涉及芯片内部特定区域的连接。 3. 叠层MCM（多芯片模块）之间的外围互连：在MCM层之间提供连接。 4. 叠层MCM之间的区域互连：适用于更高层次的系统集成。 垂直互连技术有多种实现方式，例如： - 叠加带载体法：使用自动带载焊接（TAB）技术，分为PCB上叠层和TAB两种方法，分别由松下和富士通公司在高密度存储器和DRAM芯片设计中应用。 - 焊接边缘倒带法：通过焊接边缘导带来实现垂直互连，有多种实施形式，如Dense-Pac公司的高密度存储器模块。 - 焊料填充通孔法：在载体和垫片上填充导电材料的通孔，Micron Technology和休斯电子公司都在其DRAM和SRAM芯片设计中采用了这种技术。 - 镀通孔之间的焊料连接法：Hitachi公司使用此技术，将焊料连接到PCB引线架的通孔，以实现3D DRAM设计。 - 边缘球栅阵列法：通过芯片边缘的焊球进行再流焊，实现与基板的连接。 - 立方体表面上的薄膜导带法：包括薄膜T形连接和溅射金属导带，这种方法在立方体表面形成垂直互连。 这些技术的创新和发展使得3D封装不仅在存储器领域，还在高性能计算、移动设备、传感器和其他高复杂度应用中扮演着至关重要的角色，推动着集成电路行业向更小、更快、更节能的方向发展。"