AOD480-VB: N沟道TO252封装高性能MOSFET

AOD480-VB是一款专为高功率应用设计的N沟道TO252封装MOSFET，它采用TrenchFET® PowerMOSFET技术，提供了高效能和可靠性。这款MOSFET的主要特点包括： 1. 结构特性： - N-Channel设计，能够承受高达30V的Drain-Source电压（VDS），确保了宽广的工作电压范围。 - 高度集成的沟槽结构（TrenchFET）减少了漏电（RDS(on)），在VGS=10V时典型值仅为0.007Ω，而在4.5V时为0.009Ω。 2. 测试与合规性： - 产品经过100%的Rg和UISTest，确保了高质量标准。 - 符合RoHS指令2011/65/EU，体现了环保要求。 3. 应用场景： - AOD480-VB适用于OR-ing（并联保护）、服务器电源管理和DC/DC转换器等需要高性能开关能力的领域。 4. 电流参数： - 在25°C条件下，持续 Drain Current（ID）可达约90A（但在70°C时有所降低）。 - 长时间工作下的最大功耗限制为100W（25°C），在70°C下降低至75W，表明其出色的热管理性能。 - 对于短时脉冲电流，最大脉冲 Drain Current（IDM）为200A，单次脉冲Avalanche Current（IAS）达到39A，能量吸收能力为94.8mJ。 5. 安全限制： - 绝对最大工作条件规定了Drain-Source Voltage、Gate-Source Voltage等参数的极限值。 - 操作和存储温度范围为-55°C至175°C，具有良好的耐寒和耐热性。 6. 其他注意事项： - 安装在1"x1" FR4板上，表面贴装技术。 - 计算的参数基于最高结温，实际使用时需注意散热设计，以防止超过封装限制电流（90A）和功率限制。 AOD480-VB是一款性能强大且符合国际标准的N沟道MOSFET，适用于需要高效率和可靠性的电力电子系统设计，尤其是在对温度控制和瞬态响应有严格要求的场合。设计师在选用时，应充分考虑其电流、电压和热性能限制，以确保系统的稳定运行。