NTD5865NLT4G&15-VB：高耐温N沟道TO252封装MOSFET特性与规格

NTD5865NLT4G&15-VB是一款N沟道的TO252封装MOSFET，由VB半导体公司生产。该器件的特点在于它的高耐热性，其集成了Trench FET®技术，能够在高达175°C的结温下工作，这使得它适用于高温环境下的电子应用。TO252封装提供了良好的散热性能，适合于表面安装在1英寸x1英寸的FR4电路板上。 主要规格方面，NTD5865NLT4G&15-VB在10V的VGS电压下，静态 Drain-Source（RDS(on））电阻为0.010Ω，而在4.5V的VGS下，这一值为0.013Ω。在连续操作时，最大集电极电流（ID）在25°C条件下可达一定限制，而在100°C下有更高的脉冲电流限制（DM）。同时，它也具有一定的单次雪崩能量吸收能力（E_L=0.1mH）和最大功率损耗限制（PD）为136W。 值得注意的是，这款MOSFET的材料分类属于10s级别，表明它在制造过程中具有较高的可靠性和性能一致性。其额定的温度范围宽广，从-55°C到175°C，适应不同的存储和运行条件。热阻特性包括结温到环境（RthJA）和结温到外壳（thJC）的典型和最大值，分别在10秒稳态下为15°C/W和0.85°C/W。 此外，产品附带的安全信息包括符号定义、绝对最大限制、以及一些限制条件如最大驱动电压（±20V）、最高持续漏电流（ID）、最大脉冲漏电流（DM）等。对于用户服务，NTD5865NLT4G&15-VB提供400-655-8788的服务热线支持，并且有一个完整的数据手册（Datasheet），详细列出了所有相关的电气参数和功能特性。 NTD5865NLT4G&15-VB是一款适合于需要高耐热、低损耗和良好散热性能的电子设备设计中的关键开关元件，适用于各种工业级或商业级应用，特别是在对电源管理、电机控制和电源转换等领域有较高要求的应用中。