Hynix 16GB NAND Flash Memory (HY27UH08AG) Product Overview and R...

本文档是一份关于HY27UH08AG系列16Gbit (2G x 8bit) NAND闪存的详细产品描述，该系列包括5/D型号的两种版本：HY27UH08AG5M和HY27UH08AGDM。该NAND闪存具有16GB的存储容量，适用于对高速、高密度数据存储有需求的应用场景。 文档标题明确指出了产品的规格和类型，即16位元组（2GB每个块）的NAND闪存，这表明它采用了先进的多级细胞技术来实现大容量存储。随着多个版本的更新，文档涵盖了不同版本的产品特性变化，包括： 1. **产品发布与更新历史**： - 初始版本0.0于2005年9月发布，主要为初稿，仅包含基本规格。 - 在后续版本0.1中，增加了HY27UH08AG5M和HY27UH08AGDM产品，并更新了文本和图例，调整了AC（活性细胞）特性。 - 版本0.2在同年10月修订，对AC特性进行了进一步更改，还删除了并发操作部分。 - 版本0.3在2005年11月发布，引入了1位错误校验码（ECC）算法以提高数据可靠性，同时调整了NOP（非操作周期）和读取标识。 - 最后，在版本0.3的基础上，6月20日发布的0.4版本继续优化DC（差分电容）特性，并对NOP进行了最后的修正。 2. **重要特性参数**： - **tCRRH (Cache Read RE High)**: 这是高速缓存读取恢复时间，对于闪存性能来说这是一个关键指标，表示从高速缓存快速读取数据的速度。 - **3rd Read ID**: 从第三读取ID的更改至C1h，以及设备标识表增加第三字节，表明了数据寻址和访问模式的改进。 - **NOP (Number of Partial Program Cycle in the Same Page)**: 非全页编程周期的数量减少到4次，这可能与降低写入操作对相邻数据的影响有关，提升了整体性能。 3. **技术细节**： - **ECC算法**: 1 bit ECC每512 bytes，确保数据在传输和存储过程中能检测并纠正潜在的单比特错误，提高数据完整性。 - **读取延迟时间** (tR, tAR, tREA): 这些是基本的读取操作时间参数，反映了闪存的访问速度，对于实时应用至关重要。 这份文档提供了关于HY27UH08AG系列16Gbit NAND闪存的详细规格和技术信息，包括其发展历程、关键性能指标和数据保护措施，这对于工程师选择和使用这种类型的存储设备非常有价值。