F7103U-VB双N沟道60V MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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"F7103U-VB是一款由VB Semiconductor公司生产的双N沟道60V MOSFET,采用SOP8封装,适用于电源管理、开关应用等场合。这款MOSFET的主要特点包括TrenchFET技术,提供低的导通电阻和良好的热性能。每个通道的最大连续漏极电流为7A(在25°C时),门极-源极电压为±20V,阈值电压为1.5V。在VGS=10V时,RDS(ON)为27mΩ,而在VGS=4.5V时未给出具体数值。此外,该器件在特定条件下可承受脉冲电流和脉冲能量,并具有严格的测试标准,确保了产品的质量和可靠性。"
在深入了解F7103U-VB的知识点之前,我们先了解一下MOSFET的基本概念。MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种广泛应用的半导体开关元件,通过门极电压控制源极和漏极之间的电流。N沟道MOSFET在门极电压高于阈值电压时导通,低于阈值电压时截止。
F7103U-VB的关键特性包括:
1. **TrenchFET技术**:这是一种制造工艺,通过在硅片上刻蚀深沟槽,降低了MOSFET的导通电阻,从而提高效率并降低功耗。TrenchFET设计还使得器件尺寸更小,适合高密度封装。
2. **RDS(ON)**:这是衡量MOSFET在导通状态下的内部电阻。RDS(ON)越低,MOSFET在导通时的功率损耗就越小。F7103U-VB的RDS(ON)在VGS=10V时为27毫欧,这意味着在大电流通过时,其电压降相对较小,适合高效率应用。
3. **阈值电压Vth**:这是MOSFET开始导通所需的最小门极-源极电压。F7103U-VB的Vth为1.5V,这意味着在1.5V以上的门极电压下,MOSFET将开始允许电流通过。
4. **最大连续漏极电流ID**:在25°C时,每个通道的最大ID为7A,这意味着该MOSFET可以处理较大的电流负载。在125°C时,ID减小到4A,这反映了温度对器件性能的影响。
5. **脉冲电流和能量耐受能力**:器件能够承受脉冲电流IDM(28A)和脉冲能量EAS(16.2mJ),表明其在瞬态工作条件下具有良好的稳定性。
6. **热性能**:F7103U-VB的结-壳热阻RthJA为110℃/W,这意味着每增加1W的功率损耗,器件的结温将升高110℃。这个值对于散热设计和防止过热至关重要。
7. **绝对最大额定值**:这些是器件可以承受而不损坏的极限条件,如源漏电压VDS(60V)、栅源电压GS(±20V)和结温范围(-55°C至175°C)。
在应用F7103U-VB时,设计师需要考虑其电气特性、热管理、开关速度以及与外围电路的兼容性。例如,它可用于电源开关、电机驱动、电池管理系统、负载开关等,尤其是在需要低损耗和高效能转换的场景中。同时,为了确保长期稳定运行,应确保MOSFET不会超过其绝对最大额定值,并采取适当的散热措施来维持结温在安全范围内。
2024-04-20 上传
2024-05-07 上传
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2024-04-22 上传
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