SM4307PSKPC-TRG-VB：高性能P沟道30V MOSFET

"SM4307PSKPC-TRG-VB是一款P沟道MOSFET，采用DFN8（5x6）封装，适用于适配器开关应用。" SM4307PSKPC-TRG-VB是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，它设计有扩展的栅极源电压范围（±25V），这使得它非常适合在适配器开关等应用中使用。其主要特点包括极低的导通电阻（RDS(on)）、采用TrenchFET®技术的功率MOSFET结构、以及通过100%的栅极电荷（Rg）和人体模型（UIS）测试，确保了良好的电气性能和可靠性。 这款MOSFET的典型导通电阻在VGS = -10V时为0.0080欧姆，而在VGS = -6V时为0.0090欧姆，这表明它在低电压下仍能保持较低的内阻，从而在工作时提供更低的功率损耗。Qg参数表示门极电荷，其典型值为66nC，这是衡量开关速度和效率的一个关键指标，低门极电荷意味着更快的开关速度和更低的能量消耗。 在绝对最大额定值方面，SM4307PSKPC-TRG-VB的漏源电压（VDS）为-30V，栅源电压（VGS）可承受±20V的峰值。在不同温度条件下，连续漏电流（ID）有所不同，如在25°C时可达到-60A，而70°C时则降低至-50.7A。脉冲漏电流（IDM）在300微秒内可达到-150A，连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为-58A。 该器件的单脉冲雪崩电流（IAS）为-40A，单脉冲雪崩能量（EAS）为80毫焦，表明其具备一定的雪崩耐受能力。最大功率耗散在25°C时为75W，在70°C时降至40W，这些值反映了MOSFET在不同工作环境下的散热能力。热特性方面，结温（TJ）和储存温度（Tstg）范围是-55°C到150°C。 SM4307PSKPC-TRG-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适合需要低导通电阻和高可靠性的电源管理、开关和驱动应用。其紧凑的DFN8封装（5x6尺寸）也提供了空间效率，便于在电路板上布局。此外，其出色的ESD性能（4000V HBM）确保了在实际操作中的安全性。