4407-VB P-Channel MOSFET: 参数详解与应用指南
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更新于2024-08-03
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"4407-VB是一款由VB Semi制造的P-Channel沟道MOSFET晶体管,采用SOP8封装。该器件的主要特点包括无卤素设计、TrenchFET技术、100%Rg和UIS测试。适用于笔记本电脑、台式机的负载开关等应用。其关键参数包括:漏源电压VDS为-30V,栅源电压VGS为±20V,开启电压Vth为-1.42V,低阻态电阻RDS(ON)在VGS=10V时为10mΩ,在VGS=20V时为10mΩ,且最大连续漏极电流ID在不同温度下有所不同。此外,它还具有脉冲漏极电流、连续源漏极二极管电流、雪崩电流和单脉冲雪崩能量等规格限制。"
4407-VB MOSFET晶体管是VB Semi公司生产的一款功率MOSFET,设计用于电源管理及开关应用。这款器件使用了先进的TrenchFET技术,这是一种沟槽结构的MOSFET,能提供更好的性能和更低的导通电阻。其P-Channel沟道特性意味着它在栅极电压低于源极电压时才导通,适合高侧开关应用。
关键电气特性:
1. **漏源电压VDS**:最大值为-30V,表明MOSFET能承受的最大电压差。
2. **栅源电压VGS**:-20V,这是MOSFET完全开启所需的最高电压,确保低的RDS(ON)。
3. **RDS(ON)**:在VGS=10V和20V时,RDS(ON)分别为10mΩ,这表示当MOSFET导通时的内阻,越低意味着更低的功耗和更高的效率。
4. **开启电压Vth**:-1.42V,这是MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。
5. **连续漏极电流ID**:在不同温度下有不同的最大值,例如在25°C时,ID为-11.6A,随着温度升高,这个值会下降。
应用方面,4407-VB特别适合用作负载开关,如在笔记本电脑和台式机中控制电源的通断。它的100%Rg和UIS测试保证了器件的可靠性和安全性。
热性能指标:
- **最大功率耗散PD**:在不同温度下,器件的最大允许功率损耗,如25°C时为5.6W,70°C时为3.6W。
- **结温范围TJ, Tstg**:-55至150°C,表示器件工作和储存的温度范围。
此外,MOSFET还具有脉冲漏极电流、连续源漏极二极管电流、雪崩电流和单脉冲雪崩能量等规格,确保在瞬态和过载条件下的稳定性。例如,脉冲漏极电流DM可达-40A,而最大雪崩能量AS为20mJ,表明器件在短路或过载情况下具有一定的抗冲击能力。
总结来说,4407-VB是一款高性能、高可靠性、低功耗的P-Channel MOSFET,适用于需要高效电源管理和负载切换的应用场景。其详细的规格和测试确保了在各种工作条件下都能稳定运行。
2024-05-16 上传
2024-04-19 上传
2024-06-28 上传
2024-05-14 上传
2024-05-06 上传
2024-06-24 上传
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2024-06-13 上传
2024-06-24 上传
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