NTJD4001NT1G-VB: 20V双N沟道MOSFET的特性与应用分析(SC70-6封装)
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更新于2024-08-03
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本文档详细介绍了NTJD4001NT1G-VB型号的双N沟道20V电压等级MOSFET,它采用Trench FET技术,是一款高效、低阻值的功率开关元件。这款MOSFET具有以下特点:
1. **特性**:
- 无卤素环保设计,符合IEC 61249-2-21标准。
- 属于Trench FET结构,提供了更好的散热性能和更低的RDS(ON)电阻。
- 100%进行了Rg(漏极寄生电容)测试,确保了可靠性和稳定性。
- 具有出色的ESD保护能力,能承受高达2100V的HBM瞬态电压。
- 符合RoHS指令2002/95/EC,确保了环保要求。
2. **应用场景**:
- 主要应用于便携式设备中的负载开关,由于其小巧的SC-70-6封装,特别适合表面安装在1"x1" FR4板上。
- 它在不同工作条件下有多种电流规格,如4.5V时的典型RDS(ON)为150mΩ,2.5V时为170mΩ。
3. **参数与极限**:
- VDS(最大 Drain-Source电压)为20V,VGS(最大 Gate-Source电压)为±12V。
- ID(连续导通电流)在不同的温度下有所不同,例如25°C时最大值为2.6A,而在70°C时有所下降。
- PulsedDrainCurrent (IDM)为8A,表示可以承受短暂的大电流脉冲。
- 电源损耗(PD)在不同温度下限制在2.70W(25°C)到1.0W(70°C)之间。
4. **注意事项**:
- 包装限制和表面安装要求可能影响实际应用。
- 电路设计需考虑热管理,因为最大稳态条件下的热耗散可达220°C/W。
- 操作和存储温度范围明确,包括结温限制和存储温度。
NTJD4001NT1G-VB是一款高性能的双N沟道MOSFET,适用于对电流控制精度要求高且对功率和尺寸有限制的应用场景,需要根据具体设计条件和要求来选择和优化电路。
2023-10-12 上传
2020-12-11 上传
2020-12-11 上传
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2020-12-11 上传
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2024-10-24 上传
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