FQD20N06LE-VB：175°C耐温N沟道TO-252 MOSFET

"FQD20N06LE-VB是一款N沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用TO-252封装，适用于需要高效能、小型化和高温运行的电子设备。这款MOSFET具有低导通电阻和高结温特性，适合在恶劣环境下工作。" FQD20N06LE-VB是VBsemi公司生产的一款高性能N沟道MOSFET，其核心技术是TrenchFET结构，这种结构通过采用沟槽型栅极设计，极大地降低了器件的表面电荷，从而实现了更低的导通电阻。在VGS=10V时，rDS(on)仅为0.025欧姆，而在VGS=4.5V时，rDS(on)也仅略高至0.030欧姆，这表明该器件在不同驱动电压下仍能保持优秀的开关性能，有助于降低功耗和提高系统的效率。 该MOSFET的最大连续漏源电压（VDS）为60V，且能在175°C的结温下稳定工作，这使得它适合在高温环境中应用。对于瞬态电流，FQD20N06LE-VB可以承受100A的脉冲漏源电流（IDM），而连续源电流（IS）和雪崩电流（IAS）分别达到23A和20A，这意味着它有较强的过载能力。单次雪崩能量（EAS）限制在20mJ，确保了在短路或过载情况下器件的可靠性。 在热性能方面，FQD20N06LE-VB的最大结壳热阻（RthJC）为4.0°C/W，最大结温到环境的热阻（RthJA）在瞬态条件下为22°C/W，而在稳态条件下则为50°C/W。这些参数表明，尽管封装小巧，但该MOSFET仍具备良好的散热能力，能够有效地将内部产生的热量传递到周围环境中。 此外，该器件符合RoHS标准，意味着它不含有欧盟规定的有害物质，符合环保要求。用户可以通过VBsemi的服务热线400-655-8788获取更多产品信息或技术支持。 FQD20N06LE-VB是一款高性能、高耐温的N沟道MOSFET，适用于电源管理、电机驱动、开关电源等需要高效能和小型化封装的领域。其低导通电阻、高结温和良好的热特性使其成为应对严苛应用环境的理想选择。