Numonyx M18 StrataFlash 存储器数据手册

"M18 datasheet - Numonyx M8 数据表" Numonyx M8 数据表详细介绍了基于StrataFlash技术的Cellular Memory产品，该产品型号为M18，采用90nm或65nm工艺制造。以下是对数据表主要内容的详细解读： 1. **产品特性**： - 高性能读、写和擦除功能：具有96ns的初始读取访问时间，支持108MHz无等待状态同步突发读取，时钟到数据输出延迟仅为7ns。对于133MHz无等待状态同步突发读取，这个延迟降低到5.5ns。 - 支持8位、16位和连续字同步突发读取，以及可编程的WAIT配置，允许用户自定义输出驱动器阻抗。 - 缓冲编程功能：在65nm工艺的512-Mbit设备中，每个字的编程时间典型值为2.0µs，块擦除时间约为每块0.9秒。 - 可在编程或擦除过程中进行读取操作（即读-写同时进行和读-擦除同时进行），提供分区/设备状态的状态寄存器，并具备空白检查功能。 - 提供20µs的典型编程/擦除暂停时间，确保了操作的灵活性。 2. **架构设计**： - 16位宽的数据总线，支持高速数据传输。 - 使用多级单元（MLC）技术，可以在单个存储单元中存储多个位，提高了存储密度。 - 对称块阵列架构，使得数据管理更加高效。 - 设备分为不同大小的分区：1-Gbit设备有8个128-Mbit分区，512-Mbit设备有8个64-Mbit分区，256-Mbit设备有8个32-Mbit分区，而128-Mbit设备则有8个16-Mbit分区。 3. **质量和可靠性**： - 扩展的工作温度范围：-30°C至+85°C，适应各种环境条件。 - 至少100万次的擦除/编程周期，保证了耐用性。 - 隐含了针对质量和可靠性的多项测试和保证，但具体细节未在摘要中给出。 4. **应用领域**： - 由于其高性能和灵活的配置，这款M8芯片适合用于需要快速数据存取和高可靠性的嵌入式系统，如移动通信设备、消费电子产品、工业控制、网络设备和汽车电子等领域。 Numonyx M8是一款高性能、高密度的非易失性存储解决方案，结合了先进的工艺技术和优化的架构设计，旨在满足对存储速度和可靠性有高要求的应用需求。