SET-MOS混合触发器：高效低功耗设计与应用

本文主要探讨了SET-MOS混合结构在触发器设计中的应用，发表于2009年的《河北大学学报（自然科学版）》第29卷第4期。作者李芹、蔡理和李明分别来自空军工程大学理学院以及山东神戎电子股份有限公司，他们针对SET-MOS技术的优势，设计并构建了一种新型的基本RS触发器和主从式D触发器。 文章首先介绍了基于SET-MOS混合结构的逻辑门电路，特别是或非门的设计，这种结构结合了SET（Single Electron Transistor，单电子晶体管）的优点，如低功耗和高驱动能力。通过这种结构，作者实现了高性能的触发器设计，这对于处理高速和低功耗的数字电路来说是非常关键的。 在设计过程中，作者深入分析了新型触发器的工作原理和特性，包括其稳定性和可靠性。他们还将这些触发器应用到了寄存器和移位寄存器电路中，这是数字系统的核心组成部分，用于存储和传输数据。通过对电路的精心设计，作者确保了它们在实际应用中的高效性能。 为了验证设计的准确性，文章使用了SPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis，集成电路仿真器）进行了详尽的仿真。结果显示，新型触发器电路表现出良好的工作状态，相比于SET实现的电路，它的驱动能力更强，功耗则显著降低，仅为传统CMOS电路的10^-10 W级别，这在能源效率上是一个巨大的进步。 论文的关键词包括单电子晶体管、或非门、触发器和移位寄存器，这些词汇反映了文章的核心研究内容和技术领域。整个研究不仅展示了SET-MOS混合结构在微电子技术中的创新应用，也为未来低功耗、高速度的电路设计提供了新的思路和技术参考。 这篇论文对SET-MOS混合结构触发器的设计、性能评估以及其在寄存器和移位寄存器中的实际应用进行了深入研究，对于提高电子系统的能效和性能具有重要意义。