DDR3内存控制器配置指南:以P1020 CPU和H5TQ1G63DFR为例
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更新于2024-07-22
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"DDR3内存控制器参数设计是一个关键任务,涉及到CPU、内存芯片以及硬件平台的协同工作。本文档提供了一个具体的实例,以PowerPC P1020 CPU和DDR3内存芯片H5TQ1G63DFR H9C为例,详细解释了内存控制器的参数配置。在进行内存控制器设计时,需要根据实际硬件配置和芯片特性来调整参数,因为这些参数会因硬件板的不同、芯片批次而有所差异,不能简单地复制他人的设置。"
DDR3内存参数设计中,颗粒型号H5TQ1G63DFR H9C是一个1Gbit的内存颗粒,由两片组成,总容量为2Gbit或256MB。该芯片支持多种可编程的CAS延迟(CAS latency)从6到14,附加延迟(Additive Latency)0、CL-1和CL-2,以及CAS写入延迟(CWL)5到10。它还具备4/8位突发长度(Burst Length),支持 nibble sequential 和 interleave模式,并且在数字消费应用中支持4位突发长度(BL=4,tCCD=2CLK)。此外,该芯片具备可编程ZQ校准功能,8个银行,自动自刷新,动态On-Die终端和8位预取功能。
DDR3内存控制器的关键参数包括CAS延迟(CL)、行地址至列地址延迟(tRCD)、行预充电时间(tRP)、地址至激活时间(tAA)、行周期时间(tRC)和行激活时间(tRAS)。在本例中,使用的是DDR3-1066(533MHz MCK频率,降频使用),CL=7的配置。通过示波器测量,得到时钟周期tCK为1.875ns。根据这些参数,可以计算出其他相关的时间值:
- tRCD = 13.125ns = 7tCK
- tRP = 13.125ns = 7tCK
- tAA = 13.125ns = 7tCK
- tRC > 50.625ns,可以取55ns = 29.3tCK,建议取30tCK
- tRAS > 37.5ns,可以取50ns = 26.6tCK,建议取27tCK
DDR_SDRAM_CF参数设置是内存控制器配置的一部分,可能包括但不限于上述提到的CAS延迟、预充电时间等。在设计过程中,需要确保这些参数符合内存芯片的数据手册推荐值,以确保系统稳定运行和性能优化。同时,要注意DDR3内存的时序特性,如tRAS和tRC,它们直接影响内存的读写速度和效率。
DDR3内存控制器参数设计是一个涉及多方面因素的复杂过程,需要对硬件平台、内存芯片特性和内存工作原理有深入理解。通过实例学习和参考,初学者可以更好地掌握这一技能,为新开发的单板提供可靠的内存管理方案。
2010-06-05 上传
2023-11-13 上传
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sincostan
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