DDR3内存控制器配置指南：以P1020 CPU和H5TQ1G63DFR为例

"DDR3内存控制器参数设计是一个关键任务，涉及到CPU、内存芯片以及硬件平台的协同工作。本文档提供了一个具体的实例，以PowerPC P1020 CPU和DDR3内存芯片H5TQ1G63DFR H9C为例，详细解释了内存控制器的参数配置。在进行内存控制器设计时，需要根据实际硬件配置和芯片特性来调整参数，因为这些参数会因硬件板的不同、芯片批次而有所差异，不能简单地复制他人的设置。" DDR3内存参数设计中，颗粒型号H5TQ1G63DFR H9C是一个1Gbit的内存颗粒，由两片组成，总容量为2Gbit或256MB。该芯片支持多种可编程的CAS延迟（CAS latency）从6到14，附加延迟（Additive Latency）0、CL-1和CL-2，以及CAS写入延迟（CWL）5到10。它还具备4/8位突发长度（Burst Length），支持 nibble sequential 和 interleave模式，并且在数字消费应用中支持4位突发长度（BL=4，tCCD=2CLK）。此外，该芯片具备可编程ZQ校准功能，8个银行，自动自刷新，动态On-Die终端和8位预取功能。 DDR3内存控制器的关键参数包括CAS延迟（CL）、行地址至列地址延迟（tRCD）、行预充电时间（tRP）、地址至激活时间（tAA）、行周期时间（tRC）和行激活时间（tRAS）。在本例中，使用的是DDR3-1066（533MHz MCK频率，降频使用），CL=7的配置。通过示波器测量，得到时钟周期tCK为1.875ns。根据这些参数，可以计算出其他相关的时间值： - tRCD = 13.125ns = 7tCK - tRP = 13.125ns = 7tCK - tAA = 13.125ns = 7tCK - tRC > 50.625ns，可以取55ns = 29.3tCK，建议取30tCK - tRAS > 37.5ns，可以取50ns = 26.6tCK，建议取27tCK DDR_SDRAM_CF参数设置是内存控制器配置的一部分，可能包括但不限于上述提到的CAS延迟、预充电时间等。在设计过程中，需要确保这些参数符合内存芯片的数据手册推荐值，以确保系统稳定运行和性能优化。同时，要注意DDR3内存的时序特性，如tRAS和tRC，它们直接影响内存的读写速度和效率。 DDR3内存控制器参数设计是一个涉及多方面因素的复杂过程，需要对硬件平台、内存芯片特性和内存工作原理有深入理解。通过实例学习和参考，初学者可以更好地掌握这一技能，为新开发的单板提供可靠的内存管理方案。