ELM34411AA-N-VB: -30V P-Channel MOSFET with Low RDS(on) for Powe...

ELM34411AA-N-VB是一款采用SOP8封装的P-Channel场效应MOS管，它由VBSEMICONDUCTOR公司生产，符合RoHS标准，符合IEC 61249-2-21无卤要求。这款MOSFET采用了先进的Trench FET技术，确保了高效率和可靠性。 其主要特性包括： 1. 电压规格： - 阳极（Drain-Source Voltage, VDS）：该器件在正常工作条件下可以承受高达-30V的阳极源电压。 - 驱动电压（Gate-Source Voltage, VGS）：允许的电压范围是-20V至+20V，以支持宽广的控制范围。 2. 电流能力： - 连续导通电流（Continuous Drain Current, ID）：在25°C下，最大值为-11.6A，在70°C时略有下降。 - 脉冲导通电流（Pulsed Drain Current, DM）：可以处理更极端的瞬态条件，最高限制为-40A。 - 源-漏电流（Continuous Source-Drain Diode Current, IS）：在静态情况下，大约为-4.6A。 3. 安全特性和保护： - 单脉冲雪崩电流（Avalanche Current, I）：在0.1mH电感下，能承受的最大单次雪崩能量为20mJ。 - 最大功率损耗（Maximum Power Dissipation, PD）：在不同温度下，如25°C时可达5.6W，而在70°C时降低到3.6W。 4. 热性能： - 操作和存储温度范围（Operating Junction and Storage Temperature Range, stg）：从-55°C到150°C，确保了良好的温度适应性。 - 热阻和散热设计：100% Rg和UISTested，保证了在高工作条件下元件的稳定性能，且在10秒（t=10s）内测试。 这款MOSFET适用于负载开关、笔记本和个人电脑等应用，特别适合于那些需要高效低阻抗和小型化的电路设计。它的表面安装（Surface-mounted on 1"x1" FR4 board）使得集成更加方便。注意，所有规格是在典型条件下给出的，并且在不同的温度（如TA=70°C）下可能会有所变化。 在选择和使用ELM34411AA-N-VB时，务必注意其工作环境的限制以及对散热的要求，以确保长期可靠运行。