任意占空比下GaN HEMT驱动的E类功率放大器新设计：扩展设计空间与性能提升

本文探讨了一种创新的"新"E类功率放大器设计方案，该方案针对具有任意占空比的有限直流馈电电感器，旨在扩展E类功率放大器的设计空间。作者通过调整电压和电流方程中的三个关键设计参数，实现了对最优和次优操作模式的适应，从而提供了一种灵活性更高的设计策略。文章详细介绍了次优E类功率放大器（PA）的设计流程，特别提及了使用GaN HEMT CGH40010F作为基础器件的实例。 在2.6 GHz的工作频率下，当输入功率为28 dBm时，通过新设计的次优E类PA获得了显著的性能指标。最大输出功率达到了39.6 dB，功率附加效率高达74.7%，而漏极效率更是达到了78.9%。这些结果表明，与使用相同晶体管在较低频率下的最佳E类PA相比，新方案在效率和输出功率上表现出了可比甚至更好的特性。这不仅证明了新方法的有效性，还为工程师们在设计E级功率放大器时提供了更大的灵活性和更多选择。 本文的创新之处在于它不仅局限于理论分析，而是通过实证设计展示了如何将理论转化为实际应用。它的重要性在于推动了E类功率放大器技术的发展，使得设计者能够在满足不同应用需求的同时，保持高效能和良好的性能。因此，这篇文章对于从事电力电子、射频系统和信号处理领域的研究人员和工程师来说，是一篇极具价值的研究论文，提供了宝贵的参考和实践指导。