英飞凌ISP25DP06NM MOSFET电子元器件技术规格

"ISP25DP06NM是英飞凌公司生产的电子元器件芯片，属于OptiMOSTM系列的小信号晶体管，设计用于-60V的工作电压环境。这款芯片具有P沟道结构，其主要特点是极低的导通电阻（RDS(on)）仅为250毫欧，100%通过雪崩测试，符合工业级应用的JEDEC标准，并且采用无铅镀层，符合RoHS环保要求，同时是无卤素产品，符合IEC61249-2-21的标准。该芯片采用SOT-223-4封装，其引脚分别为：Drain（2、4脚），Gate（1脚）和Source（3脚）。" ISP25DP06NM是一款增强模式的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效能和低损耗的应用场景。其工作在正常级别，意味着在没有栅极电压时，晶体管处于关闭状态，只有当栅极相对于源极施加正电压时，才会导通电流。这款芯片的最大漏-源电压（VDS）为-60V，最大漏电流（ID）可达到-1.9A，这意味着它可以处理较大的电流。 在电气特性方面，ISP25DP06NM的数据表提供了关键性能参数，包括最大导通电阻（RDS(on)，最大值为250mΩ），这使得它在开关应用中表现出低功耗和高效率。此外，数据表还包含其他电气特性，如阈值电压、栅极电荷、输出电容等，这些参数对于理解和优化电路设计至关重要。为了确保可靠性和一致性，这款芯片已经过全面验证，适用于各种工业应用。 芯片的封装信息显示，ISP25DP06NM采用PG-SOT223封装，封装上的标记为“25DP06NM”。数据表中还包括了热特性、电气特性图表和封装轮廓图，这些都是工程师在设计电路时需要参考的重要资料。最后，修订历史、商标信息和免责声明也在数据表中提供，以确保用户获取最新和准确的信息。 总体而言，ISP25DP06NM是一款高性能、低阻抗的P沟道MOSFET，适合在需要高效、低损耗特性的电路设计中使用，特别是在工业级应用中，其优秀的电气特性和符合环保标准的制造工艺使其成为可靠的选择。